长鑫存储技术有限公司于业笑获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118870805B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310438157.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由于业笑设计研发完成，并于2023-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括衬底、电容单元组以及应力缓冲层。其中，电容单元组位于衬底的顶面，电容单元组包括若干个沿第一方向及第二方向间隔阵列排布的电容柱，电容柱沿第三方向延伸；应力缓冲层，位于衬底的顶面，沿第三方向延伸，且周向环绕电容单元组，其中，第一方向、第二方向及第三方向相互垂直。上述半导体结构能够减小电容单元组所受到的应力冲击，从而改善由于应力冲击而造成的电容柱弯曲变形现象，进而避免电路漏电、电容短路、电容内部绝缘介质失效或电极损坏等风险问题的出现，提高电容器的质量，进而提高存储器的整体性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 电容单元组，位于所述衬底的顶面，所述电容单元组包括若干个沿第一方向及第二方向间隔阵列排布的电容柱，所述电容柱沿第三方向延伸； 应力缓冲层，位于所述衬底的顶面，沿所述第三方向延伸，且周向环绕所述电容单元组，其中，所述第一方向、所述第二方向及所述第三方向相互垂直； 其中，所述应力缓冲层在所述衬底的顶面的正投影围合成一个目标区域，所述电容单元组位于所述目标区域内； 所述应力缓冲层在所述衬底的顶面的正投影为若干个间隔分布的子图形，所述子图形为矩形； 沿所述第一方向延伸的所述矩形在所述第一方向上的长度，等于沿所述第一方向相邻、沿所述第一方向延伸的所述矩形的间距； 沿所述第二方向延伸的所述矩形在所述第二方向上的长度，与沿所述第二方向相邻、沿所述第二方向延伸的所述矩形的间距的差值，等于所述电容柱在所述衬底的顶面的正投影的图形尺寸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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