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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利U型沟槽的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969615B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410814657.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权U型沟槽的制造方法是由杨仕玲;关天鹏;马雁飞设计研发完成，并于2024-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本U型沟槽的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种U型沟槽的制造方法，包括：提供形成了场氧的半导体衬底，在第一区域中，由场氧隔离出平行排列的第一有源区。在第一区域中形成硬质掩膜层。对硬质掩膜层进行第一次图形化刻蚀形成第一沟槽和第一硬质掩膜层条形。第一沟槽位于第一有源区的正上方且将第一有源区的顶部表面暴露。涂布有机底层。对有机底层进行第二次图形化刻蚀形成具有第二沟槽的有机底层图形，第一和第二沟槽的长度方向垂直，第二沟槽具有和第一沟槽相交叠的第一交叠区，第一交叠区中的第一有源区的顶部表面暴露。以有机底层图形为掩膜对半导体衬底进行第三次刻蚀并在第一交叠区形成U型沟槽。本发明能增加工艺窗口且能改善U型沟槽的形貌，还能简化工艺步骤。

本发明授权U型沟槽的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种U型沟槽的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供形成了场氧的半导体衬底，在第一区域中，由所述场氧隔离出第一有源区，所述第一有源区平行排列； 打开所述第一区域中，在所述第一区域中形成硬质掩膜层； 对所述硬质掩膜层进行第一次图形化刻蚀形成第一沟槽和第一硬质掩膜层条形；所述第一沟槽位于所述第一有源区的正上方且所述第一沟槽将所述第一有源区的顶部表面暴露；所述第一硬质掩膜层条形覆盖在所述场氧的顶部表面上； 涂布有机底层，所述有机底层将所述第一沟槽完全填充并延伸到所述第一沟槽外的所述第一硬质掩膜层条形的顶部表面之上，所述有机底层的顶部表面平坦； 对所述有机底层进行第二次图形化刻蚀形成具有第二沟槽的有机底层图形，所述第二沟槽的长度方向和所述第一沟槽的长度方向垂直，所述第二沟槽具有和所述第一沟槽相交叠的第一交叠区以及和所述第一硬质掩膜层条形相交叠的第二交叠区，所述第一交叠区中的所述第一有源区的顶部表面暴露； 以所述有机底层图形为掩膜对所述半导体衬底进行第三次刻蚀，所述第三次刻蚀在所述第一交叠区形成U型沟槽；所述第三次刻蚀完成后同时保证所述第二交叠区中的所述硬质掩膜层具有剩余厚度。

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