长鑫科技集团股份有限公司李浩然获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118973258B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411121466.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制备方法是由李浩然设计研发完成，并于2024-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体器件制备方法及由此方法制备的半导体器件，该方法包括：提供衬底，衬底包括阵列区和外围区，阵列区形成有存储节点接触垫；外围区形成有第一布线层，存储节点接触垫和第一布线层表面形成有第一保护层；在衬底表面形成第一介质层，第一介质层在第一布线层对应位置形成有通孔，通孔中暴露第一布线层；在第一介质层上和通孔中形成连续的第一金属层；图案化第一金属层和第一介质层形成位于外围区的第二布线图案，暴露阵列区的第一保护层；在第二布线图案之间形成第二保护图案；去除暴露的第一保护层，暴露存储节点接触垫；在阵列区形成与存储节点接触垫连接的存储节点，在外围区形成平坦层，平坦层中形成有与第二布线图案接触的接触插塞。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括阵列区和外围区，所述阵列区形成有存储节点接触垫；所述外围区形成有第一布线层，所述存储节点接触垫和所述第一布线层表面形成有第一保护层； 在所述衬底表面形成第一介质层，所述第一介质层在所述第一布线层对应位置形成有通孔，所述通孔中暴露所述第一布线层； 在所述第一介质层上和所述通孔中形成连续的第一金属层； 图案化所述第一金属层和第一介质层形成位于所述外围区的第二布线图案，暴露所述阵列区的所述第一保护层； 在所述第二布线图案之间形成第二保护图案； 去除暴露的所述第一保护层，暴露所述存储节点接触垫； 在所述阵列区形成与所述存储节点接触垫连接的存储节点，在所述外围区形成平坦层，所述平坦层中形成有与所述第二布线图案接触的接触插塞。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫科技集团股份有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励