长鑫存储技术有限公司窦心愿获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利反熔丝阵列结构以及反熔丝存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310542893.1，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权反熔丝阵列结构以及反熔丝存储器件是由窦心愿设计研发完成，并于2023-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本反熔丝阵列结构以及反熔丝存储器件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种反熔丝阵列结构以及反熔丝存储器件。其中，反熔丝阵列结构具有阵列区与边缘区，边缘区环绕阵列区，反熔丝阵列结构包括：反熔丝单元，位于阵列区，且在阵列区阵列排布；伪熔丝单元，位于边缘区；反熔丝单元与伪熔丝单元均包括选择晶体管以及反熔丝器件，选择晶体管的源区与漏区中的其中一者连接位线，另一者连接反熔丝器件；在第一方向上，同一行反熔丝器件连接同一编程导线，同一行选择晶体管连接同一字线；在第二方向上，同一列选择晶体管连接同一位线。本申请实施例可以有效提高反熔丝阵列结构以及反熔丝存储器件可靠性。
本发明授权反熔丝阵列结构以及反熔丝存储器件在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝阵列结构，其特征在于，具有阵列区与边缘区，所述边缘区环绕所述阵列区，所述反熔丝阵列结构包括： 反熔丝单元，位于所述阵列区，且在所述阵列区阵列排布； 伪熔丝单元，位于所述边缘区，且设置在使光刻过程中的反射与衍射作用能够作用到的位置； 所述反熔丝单元与所述伪熔丝单元均包括选择晶体管以及反熔丝器件，所述选择晶体管的源区与漏区中的其中一者连接位线，另一者连接所述反熔丝器件； 在第一方向上，同一行所述反熔丝器件连接同一编程导线，同一行所述选择晶体管连接同一字线； 在第二方向上，同一列所述选择晶体管连接同一位线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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