上海积塔半导体有限公司张健获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050065B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411163911.6，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由张健;任萍萍;张琼设计研发完成，并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括半导体基底、至少一个金属层、第一钝化层及保护层。至少一个金属层设置于部分半导体基底上，与半导体基底形成电性连接；金属层的边界与半导体基底的交接处形成台阶结构；第一钝化层覆盖于金属层及半导体基底上。第一钝化层上形成有至少一个第一开口，每个第一开口暴露部分与其所对应的金属层。保护层覆盖于第一钝化层上，且保护层上形成有第二开口，且保护层的第二开口暴露出所有的台阶结构，以使第二开口的边界远离台阶结构。由此，本发明的设计避开了金属层台阶结构以及第一钝化层的第一开口，可以有效的降低保护层边缘位置翘起、开裂剥离情况。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体基底； 至少一个金属层，设置于部分所述半导体基底上，与所述半导体基底形成电性连接；所述金属层高出所述半导体基底的表面，以使所述金属层的边界与所述半导体基底的交接处形成台阶结构； 第一钝化层，覆盖于所述金属层及所述半导体基底上；所述第一钝化层上形成有至少一个第一开口，所述第一开口的个数与所述金属层的个数一一对应，每个所述第一开口开设于与其所对应的所述金属层上，并暴露部分所述金属层； 保护层，覆盖于所述第一钝化层上，且所述保护层上形成有第二开口，所述第二开口暴露至少一个所述第一开口及与所述第一开口相对应的所述金属层，且所述保护层的第二开口暴露出对应位置的所有台阶结构，以使所述第二开口的边界远离所述第一钝化层的第一开口的边界，且远离所述台阶结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海积塔半导体有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区云水路600号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励