盛合晶微半导体(江阴)有限公司陈彦亨获国家专利权
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龙图腾网获悉盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利一种三维堆叠光电芯片封装结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050094B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411187117.5，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权一种三维堆叠光电芯片封装结构及制作方法是由陈彦亨;林正忠设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维堆叠光电芯片封装结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种三维堆叠光电芯片封装结构及制作方法，光芯片和电芯片3D堆叠封装，能够有效缩小封装面积；并且，光芯片和电芯片通过重新布线层及导电柱互连引出，能够有效的缩短光芯片和电芯片的传输路径，相较于2D光电集成封装，传输路径能够缩短20倍，具有低的插入损耗和RC延迟。
本发明授权一种三维堆叠光电芯片封装结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种三维堆叠光电芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供基底，于所述基底上形成第一重新布线层，于所述第一重新布线层上形成导电柱，所述导电柱和所述第一重新布线层电连接； 提供光芯片，所述光芯片包括相对设置的第一面和第二面，所述光芯片的第一面设有光芯片焊点和光信号区，将所述光芯片的第一面键合于所述第一重新布线层，其中，所述光芯片焊点和所述第一重新布线层电连接； 提供电芯片，所述电芯片包括相对设置的第一面和第二面，所述电芯片的第一面设有电芯片焊点，将所述电芯片的第二面固定于所述光芯片上； 于所述第一重新布线层上形成封装层，所述封装层覆盖所述导电柱、所述光芯片和所述电芯片，其中，所述封装层显露所述导电柱的顶部及所述电芯片焊点； 于所述封装层上形成第二重新布线层，所述第二重新布线层和所述导电柱电连接，且所述第二重新布线层和所述电芯片焊点电连接； 去除所述基底，于所述第一重新布线层中形成开口，所述开口显露所述光信号区； 于所述第一重新布线层远离所述封装层的一侧形成光学桥接结构，所述光学桥接结构覆盖所述开口以与所述光信号区相对应。
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