长鑫存储技术有限公司黄猛获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及其结构、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119053151B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310596493.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制作方法及其结构、存储器是由黄猛设计研发完成，并于2023-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法及其结构、存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及其结构、存储器，其中，半导体结构的制作方法包括：提供基底；在基底上形成N层堆叠结构，其中，N层堆叠结构中的每一堆叠结构都包括绝缘层及导电层；形成包括N个开口的掩膜层；进行M次刻蚀处理以形成凹槽，每一凹槽暴露不同的堆叠结构的导电层，前M‑1次刻蚀处理都沿着至少两个开口刻蚀堆叠结构，且相邻两次的刻蚀处理沿着部分相同或者全不相同的开口刻蚀堆叠结构，刻蚀处理包括：形成位于掩膜层顶面的光刻层，光刻层将部分开口覆盖，沿光刻层暴露的开口刻蚀堆叠结构，以暴露导电层的顶面，M为小于N的正整数；形成导电插塞，导电插塞填充满凹槽。可以减少刻蚀工艺的次数。
本发明授权半导体结构的制作方法及其结构、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成N层堆叠结构，其中，所述N层堆叠结构中的每一堆叠结构都包括绝缘层及位于所述绝缘层顶面的导电层，N为大于等于16的正整数，且N为8的整数倍； 形成掩膜层，所述掩膜层位于顶层的所述堆叠结构上，且所述掩膜层包括沿第一方向间隔排布的N个开口，并将所述掩膜层分为n个分区，每个所述分区包括8个所述开口，n为N8； 进行M次刻蚀处理以形成多个凹槽，每一所述凹槽暴露不同的所述堆叠结构的所述导电层，前M‑1次所述刻蚀处理都沿着至少两个所述开口刻蚀所述堆叠结构，且相邻两次的所述刻蚀处理沿着部分相同或者全不相同的所述开口刻蚀所述堆叠结构，所述刻蚀处理包括：形成光刻层，所述光刻层位于所述掩膜层的顶面，所述光刻层将部分所述开口覆盖，沿所述光刻层暴露的所述开口刻蚀所述堆叠结构，以暴露所述导电层的顶面，M为小于N的正整数； 形成导电插塞，所述导电插塞填充满所述凹槽。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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