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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利存储单元、存储器及其访问方法、制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119091942B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310665128.9，技术领域涉及：G11C11/4096；该发明授权存储单元、存储器及其访问方法、制备方法、电子设备是由罗杰;晋中华;吕浩昌设计研发完成，并于2023-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储单元、存储器及其访问方法、制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种存储单元、存储器及其访问方法、制备方法、电子设备。存储单元包括第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管设置为读取晶体管；第二晶体管设置为写入晶体管；其中，第一晶体管包括第一栅极、第二栅极、第一极和第二极；第一晶体管具有两个不同的阈值电压，其中一个阈值电压与第一栅极对应，另一个阈值电压与第二栅极对应；第二晶体管包括第三栅极、第三极和第四极；第一栅极和第二栅极连接，并与第四极连接；第一极与读取字线连接，第二极与读取位线连接；第三栅极与写入字线连接，第三极与写入位线连接。采用本申请能够实现多种信息的存储和读取。

本发明授权存储单元、存储器及其访问方法、制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括第一晶体管和第二晶体管； 所述第一晶体管设置为读取晶体管； 所述第二晶体管设置为写入晶体管； 其中，所述第一晶体管包括第一栅极、第二栅极、第一极和第二极；所述第一晶体管具有两个不同的阈值电压，其中一个阈值电压与所述第一栅极对应，另一个阈值电压与所述第二栅极对应；所述第二晶体管包括第三栅极、第三极和第四极； 所述第一晶体管的第一栅极和所述第一晶体管的第二栅极连接，并与所述第二晶体管的第四极连接；所述第四极作为存储节点，用于存储写入的存储信号； 所述第一晶体管的第一极与读取字线连接，所述第一晶体管的第二极与读取位线连接； 所述第二晶体管的第三栅极与写入字线连接，所述第二晶体管的第三极与写入位线连接； 所述第二晶体管，用于在写入操作时，基于写入字线的第一电压导通，使得写入位线上的存储信号写入存储节点； 所述第一晶体管，用于在读取操作时，在读取字线上施加固定电压，并基于存储节点存储的存储信号与两个不同的阈值电压的关系，处于全导通、半导通或关闭状态，通过感测读取位线上不同的电流值或电压值，以读取所述存储信号。

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