湖北九峰山实验室袁俊获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种氧化镓单片的异质集成器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108431B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411244777.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种氧化镓单片的异质集成器件及其制造方法是由袁俊;彭若诗;徐少东;李明哲;朱厉阳;郭飞;王宽;陈伟;成志杰;吴阳阳设计研发完成，并于2024-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化镓单片的异质集成器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种氧化镓单片的异质集成器件及其制造方法，可用于半导体器件领域，该器件中，N型氧化镓外延片包括外延层和衬底层；N型氧化镓外延片的外延层一侧与P型材料层的一侧键合；N型掺杂区设于P型材料层内，并与N型氧化镓外延片的外延层接触；栅极控制区覆盖N型掺杂区，设于P型材料层的另一侧；源极与P型材料层之间形成欧姆接触；漏极设于N型氧化镓外延片的衬底层一侧，并与衬底层之间形成欧姆接触；基板层与漏极键合。由此，将小尺寸氧化镓键合到基板上进行流片可实现器件在产线的规模制备，且提高氧化镓器件散热性能；通过将N型氧化镓与P型材料键合，形成异质PN结以弥补缺失的氧化镓同质PN结，提高了结构的稳定性。
本发明授权一种氧化镓单片的异质集成器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓单片的异质集成器件，其特征在于，所述器件包括：N型氧化镓外延片、P型材料层、N型掺杂区、栅极控制区、层间介质、源极、漏极以及基板层；所述N型氧化镓外延片包括外延层和衬底层； 所述N型氧化镓外延片的所述外延层一侧与所述P型材料层的一侧键合； 所述N型掺杂区设于所述P型材料层内，并与所述N型氧化镓外延片的所述外延层接触； 所述栅极控制区覆盖所述N型掺杂区，设于所述P型材料层的另一侧； 所述源极与N型掺杂区接触并与所述P型材料层之间形成欧姆接触，所述源极通过所述层间介质与所述栅极隔离； 所述漏极设于所述N型氧化镓外延片的所述衬底层一侧，并与所述衬底层之间形成欧姆接触； 所述基板层与所述漏极键合； 所述基板层包括：高阻基板和导电金属层； 所述导电金属层沉积于所述高阻基板的上表面，且另一端与所述漏极键合； 所述导电金属层的宽度大于所述漏极的宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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