京东方华灿光电(浙江)有限公司王明获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利改善发光效率的发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108472B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410998830.1，技术领域涉及：H10H20/813；该发明授权改善发光效率的发光二极管及其制备方法是由王明;陆香花;张奕设计研发完成，并于2024-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善发光效率的发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善发光效率的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述有源层包括多个层叠的发光叠层，各所述发光叠层包括依次层叠的量子垒层、低温插入层和量子阱层，所述低温插入层和所述量子阱层均为InGaN层。本公开实施例能提升发光二极管的发光效率。
本发明授权改善发光效率的发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括依次层叠的第一半导体层20、有源层30和第二半导体层40，所述有源层30包括多个层叠的发光叠层310，各所述发光叠层310包括依次层叠的量子垒层311、低温插入层312和量子阱层313，所述低温插入层312和所述量子阱层313均为InGaN层； 所述低温插入层312的In浓度为1.2×103cm3至1.2×105cm3，所述低温插入层312的C含量为3.6×1016cm3至6×1016cm3； 所述低温插入层312包括依次层叠的第一低温InGaN层3121和第二低温InGaN层3122，所述第一低温InGaN层3121的生长温度低于所述第二低温InGaN层3122的生长温度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京东方华灿光电(浙江)有限公司，其通讯地址为：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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