长鑫存储技术有限公司廖昱程获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119110596B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310652483.2，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权半导体结构及其形成方法是由廖昱程;蒋懿设计研发完成，并于2023-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底和位于衬底的顶面上的存储单元，存储单元包括晶体管和相变结构，晶体管包括沿第一方向延伸的有源柱，相变结构沿第一方向位于有源柱的上方，相变结构包括沿第一方向位于有源柱上方的加热器、沿第一方向位于加热器上方的相变层、以及覆盖加热器侧壁的隔热层，加热器包括与有源柱电连接的第一端、以及沿第一方向与第一端相对的第二端，第一端在衬底的顶面上的投影面积小于第二端在衬底的顶面上的投影面积。本公开增大半导体结构的存储密度，改善了半导体结构的存储性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 存储单元，位于所述衬底的顶面上，所述存储单元包括晶体管和相变结构，所述晶体管包括沿第一方向延伸的有源柱，所述相变结构沿所述第一方向位于所述有源柱的上方，所述相变结构包括沿所述第一方向位于所述有源柱上方的加热器、沿所述第一方向位于所述加热器上方的相变层、以及覆盖所述加热器侧壁的隔热层，所述加热器包括与所述有源柱电连接的第一端、以及沿所述第一方向与所述第一端相对的第二端，所述第一端在所述衬底的顶面上的投影面积小于所述第二端在所述衬底的顶面上的投影面积，所述第一方向垂直于所述衬底的顶面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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