长鑫存储技术有限公司陈卓获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153393B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310677717.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其制作方法是由陈卓;朴成设计研发完成，并于2023-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决掩膜图形漂移的技术问题。该制作方法包括：在基底上形成多个掩膜图形，以掩膜图形为掩膜刻蚀基底，在基底内形成凸台和环绕凸台的接触槽；在掩膜图形和凸台的侧壁上形成隔离层，邻行相邻的两个掩膜图形及相应凸台的侧壁上的隔离层相接触，且隔离层还围合成填充孔，填充孔暴露基底；在填充孔内形成第一导电层，并对第一导电层、隔离层、掩膜图形和基底进行退火处理。隔离层将第一导电层和掩膜图形隔离，避免掩膜图形与第一导电层退火时熔融流动而使得掩膜图形漂移。此外，邻行相邻的掩膜图形和凸台侧壁上的隔离层相接触，隔离层填满间隙较小的掩膜图形之间。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 在基底上形成多个间隔设置且阵列排布的掩膜图形，其中，任意相邻的三行所述掩膜图形中，邻行相邻的两个所述掩膜图形之间的距离小于同行相邻的两个所述掩膜图形之间的距离，且小于隔行相对的两个所述掩膜图形之间的距离； 以所述掩膜图形为掩膜，刻蚀所述基底，在所述基底内形成与所述掩膜图形相对应的凸台，以及环绕所述凸台的接触槽； 在每个所述掩膜图形和所述凸台的侧壁上形成隔离层，邻行相邻的两个所述掩膜图形及相应所述凸台的侧壁上的所述隔离层相接触，同行相邻的两个所述掩膜图形及相应所述凸台的侧壁上，以及隔行相对的两个所述掩膜图形及相应所述凸台的侧壁上的所述隔离层围合成填充孔，所述填充孔暴露所述基底； 形成第一导电层，所述第一导电层覆盖所述隔离层的侧面，且填充满所述填充孔； 对所述第一导电层、所述隔离层、所述掩膜图形和所述基底进行退火处理。
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