买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉山西中科潞安紫外光电科技有限公司申请的专利一种倒装结构深紫外LED器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153605B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411272347.1，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种倒装结构深紫外LED器件及其制备方法是由李勇强;张晓娜;王充设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种倒装结构深紫外LED器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于深紫外LED器件技术领域，具体涉及一种倒装结构深紫外LED器件及其制备方法，制备方法包括：制备AlN模板层；制备HfO2‑MgF2周期结构层；生长GaN缓冲层；生长LED外延结构，并清洗LED外延结构表面；制备MESA台面；制备n接触电极和p接触电极，在n接触电极、p接触电极和LED外延结构表面制备钝化层；在n接触电极和p接触电极上方的钝化层上制备通孔，在通孔上面制备pad电极；使用化学机械研磨工艺减薄蓝宝石衬底。本发明通过在AlN模板上沉积多层不同折射率的介质材料，形成深紫外增透光学膜，提高量子阱产生光子直接射出的效率，以提高外延结构AlN模板的发光效率。本发明的方法不仅可以提高光的提取效率，还可以减少光的损失，从而提高器件的性能。

本发明授权一种倒装结构深紫外LED器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装结构深紫外LED器件的制备方法，其特征在于，包括下列步骤： S1、采用磁控溅射在蓝宝石衬底101上制备AlN模板层102； S2、制备HfO2‑MgF2周期结构层103； S3、将S2中制备有HfO2‑MgF2周期结构层103的蓝宝石衬底101浸入ACE溶液清洗5min，之后浸入IPA溶液，然后冲水甩干； S4、在HfO2‑MgF2周期结构层103上进行二次外延生长GaN缓冲层104； S5、在GaN缓冲层104上继续生长LED外延结构，并清洗LED外延结构表面； S6、制备MESA台面； S7、制备n接触电极201和p接触电极202，在n接触电极201、p接触电极202和LED外延结构表面制备钝化层301； S8、在n接触电极201和p接触电极202上方的钝化层301上制备通孔，在通孔上面制备pad电极203； S9、使用化学机械研磨工艺减薄蓝宝石衬底101。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山西中科潞安紫外光电科技有限公司，其通讯地址为：046011 山西省长治市高新区漳泽新型工业园区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。