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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利高压超结VDMOS器件终端结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208146B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411349540.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权高压超结VDMOS器件终端结构及其制作方法是由何悦;谭开洲;肖添;李孝权;张培健设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本高压超结VDMOS器件终端结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高压超结VDMOS器件终端结构及其制作方法，包括：在重掺杂导电衬底上生长外延层；在外延层顶部形成过渡氧化层；在外延层顶部区域注入形成第一掺杂区域、第二掺杂区域和第三掺杂区域；在外延层上刻蚀形成多组终端沟槽；在终端沟槽的侧壁形成垂直场板电介质层；对终端沟槽进行填充形成垂直电阻场板；在外延区顶部形成水平电阻场板；形成漏极金属电极、源极金属电极和浮空金属电极。本发明中，终端结构采用了超结、场板、场截止环等技术，通过水平电阻场板可以给垂直电阻场板和第二掺杂区域提供低电位，通过设置截止环可以有效减小电阻场板底部的电场尖峰，大大减小了平面终端面积，实现了器件的小型化。

本发明授权高压超结VDMOS器件终端结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高压超结VDMOS器件终端结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在重掺杂导电衬底上外延生长外延层，所述外延层的导电类型与重掺杂导电衬底相同； S2、在外延层顶部进行表面氧化形成过渡氧化层； S3、在外延层顶部区域注入形成第一掺杂区域、第二掺杂区域和第三掺杂区域，所述第一掺杂区域位于终端内侧，所述第二掺杂区域位于第一掺杂区域的外侧，所述第三掺杂区域位于终端区域的外侧； 所述第一掺杂区域采用硼离子注入，注入浓度为3e15cm‑2；所述第二掺杂区域采用硼离子注入，注入浓度为3e13cm‑2；所述第三掺杂区域采用砷离子或磷离子注入，注入浓度为5e15cm‑2； S4、在外延层上刻蚀形成多组贯穿外延层并露出衬底的终端沟槽，并去除过渡氧化层； S5、在终端沟槽的侧壁形成垂直场板电介质层； S6、采用第一电阻场板材料对终端沟槽进行填充形成垂直电阻场板；所述第一电阻场板材料为半绝缘多晶硅材料； S7、采用第二电阻场板材料在外延区顶部形成水平电阻场板；所述第二电阻场板材料为半绝缘多晶硅材料； S8、形成与衬底连接的漏极金属电极、与第一掺杂区域连接的源极金属电极以及与第三掺杂区域连接的浮空金属电极。

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