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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208476B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411334611.X，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法是由程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种发光二极管外延片及其制备方法，外延片包括衬底及外延层，外延层包括有源层、电子阻挡层及P型层，有源层与电子阻挡层之间设有空穴注入层，空穴注入层包括沿外延方向依次沉积的第一超晶格层、镁碳共掺杂GaN复合层及第二超晶格层，第一超晶格层为由非故意掺杂Mg的AlGaN层与低掺Mg的AlGaN层交替层叠的周期性结构，第二超晶格层为由非故意掺杂Mg的GaN层与高掺Mg的InGaN层交替层叠的周期性结构，高掺Mg的InGaN层的Mg掺杂浓度大于镁碳共掺杂GaN复合层的Mg掺杂浓度，镁碳共掺杂GaN复合层的Mg掺杂浓度大于低掺Mg的AlGaN层的Mg掺杂浓度。本发明通过多层材料层的相互配合，有效减少Mg的自补偿效应，提高活化Mg浓度，提高空穴浓度，提高有效空穴注入效率，减少电子溢流，从而提高有源层中电子与空穴辐射复合效率，进而提升发光二极管的发光效率。

本发明授权发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，包括衬底及设于所述衬底上的外延层，其特征在于，所述外延层包括沿外延方向依次沉积于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型层、有源层、电子阻挡层及P型层，所述有源层与所述电子阻挡层之间设有空穴注入层，所述空穴注入层包括沿外延方向依次沉积的第一超晶格层、镁碳共掺杂GaN复合层及第二超晶格层，所述第一超晶格层为由非故意掺杂Mg的AlGaN层与低掺Mg的AlGaN层交替层叠的周期性结构，所述第二超晶格层为由非故意掺杂Mg的GaN层与高掺Mg的InGaN层交替层叠的周期性结构，所述高掺Mg的InGaN层的Mg掺杂浓度大于所述镁碳共掺杂GaN复合层的Mg掺杂浓度，所述镁碳共掺杂GaN复合层的Mg掺杂浓度大于所述低掺Mg的AlGaN层的Mg掺杂浓度。

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