长鑫科技集团股份有限公司严勋获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119233634B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411366723.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制备方法、电子设备是由严勋设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：半导体器件及其制备方法、电子设备。半导体器件包括基底、着陆焊盘、第一互连层、电容器、多个层间介质层、接触插塞以及第二互连层。基底包括具有第一晶体管的阵列区和具有第二晶体管的外围区。着陆焊盘位于阵列区并电连接第一晶体管。第一互连层位于外围区并电连接第二晶体管。电容器位于阵列区并通过着陆焊盘电连接第一晶体管。多个层间介质层覆盖第一互连层，其具有暴露第一互连层的一部分的接触孔，接触孔在多个层间介质层中底层的最大孔径大于其在多个层间介质层中顶层的最小孔径。接触插塞填充于接触孔内并接触第一互连层。第二互连层位于多个层间介质层上并接触接触插塞。上述半导体器件可以改善接触插塞和第一互连层之间的接触电阻。
本发明授权半导体器件及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 基底，包括阵列区和环绕所述阵列区的外围区，所述阵列区包括第一晶体管，外围区包括第二晶体管； 着陆焊盘，位于所述阵列区，并电连接所述第一晶体管； 第一互连层，位于所述外围区，并电连接所述第二晶体管； 电容器，所述电容器位于所述阵列区，并通过所述着陆焊盘电连接所述第一晶体管； 多个层间介质层，所述多个层间介质层覆盖所述第一互连层，所述多个层间介质层中具有接触孔，所述接触孔暴露所述第一互连层的一部分，所述接触孔在所述多个层间介质层中最底层的最大孔径大于其在所述多个层间介质层中顶层的最小孔径，所述多个层间介质层中的最底层代表所述接触孔与所述第一互连层接触的一层； 接触插塞，填充于所述接触孔内，并接触所述第一互连层； 第二互连层，位于所述多个层间介质层上，所述第二互连层的一部分接触所述接触插塞。
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