长鑫存储技术有限公司章慧获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119252815B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310764051.0，技术领域涉及：H01L23/492；该发明授权半导体结构及其制备方法是由章慧;刘小平;徐玉婷;陈小龙;王春阳设计研发完成，并于2023-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决导电焊盘被刻穿损伤的技术问题，该半导体结构包括具有第一沟槽的衬底、电容器、导电焊盘和第一导电插塞；电容器设置在第一沟槽内，且电容器包括依次层叠设置的第一电极层、介电层和第二电极层；导电焊盘设置在衬底上，并与第一电极层电连接；导电焊盘包括层叠设置的补偿层和导电层；第一导电插塞设置在衬底上；第一导电插塞靠近衬底的一端延伸至补偿层内，并与衬底靠近补偿层的表面之间具有间距。本公开增大导电焊盘的厚度，避免刻穿导电焊盘，并提高了导电焊盘和第一导电插塞的接触面积。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底内具有第一沟槽； 电容器，所述电容器设置在所述第一沟槽内，且所述电容器包括依次层叠设置的第一电极层、介电层和第二电极层，所述第二电极层包括层叠设置的第一子电极层和第二子电极层，所述第一子电极层覆盖在所述介电层；所述第二子电极层设置在所述第一子电极层所围成的区域内； 导电焊盘，所述导电焊盘设置在所述衬底上，并与所述第一电极层电连接；其中，所述导电焊盘包括层叠设置的补偿层和导电层； 第一导电插塞，所述第一导电插塞设置在所述衬底上；所述第一导电插塞靠近所述衬底的一端延伸至所述补偿层内，并与所述衬底靠近所述补偿层的表面之间具有间距； 所述第二子电极层内设有第二导电插塞。
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