长鑫存储技术有限公司汪银发获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119255595B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310764154.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由汪银发;王晓玲设计研发完成，并于2023-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成衬底和位于衬底上的多个有源柱，相邻有源柱之间具有暴露衬底的隔离沟槽；形成填充满隔离沟槽的隔离层，隔离层具有实心结构且隔离层的顶面平坦；形成暴露部分有源柱的信号线沟槽；于信号线沟槽内形成导电线。本公开减少了相邻存储单元之间的漏电问题，实现了对半导体结构电性能的改善。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供初始衬底； 刻蚀所述初始衬底，形成包括多条第一沟槽和多条第二沟槽的隔离沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽交替排布，所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度，且多条所述第一沟槽和多条所述第二沟槽将所述初始衬底分隔为间隔排布的多个有源柱，所述有源柱下方剩余的所述初始衬底作为衬底； 形成覆盖所述第一沟槽的内壁、并填充满所述第二沟槽的第一隔离层； 形成填充满剩余所述第一沟槽的第二隔离层，所述第二隔离层具有实心结构且所述第二隔离层的顶面平坦，所述第一隔离层和所述第二隔离层共同作为所述隔离层；回刻蚀部分的所述隔离层，形成暴露部分的所述有源柱的第三沟槽； 至少增大暴露的所述有源柱的宽度； 形成填充满所述第三沟槽的填充层； 形成暴露部分所述有源柱的信号线沟槽； 于所述信号线沟槽内形成导电线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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