西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司张宁轩获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利硅片形貌调整方法、装置和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119260480B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411700316.1，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权硅片形貌调整方法、装置和设备是由张宁轩;鲁晶鑫;高璠煜设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅片形貌调整方法、装置和设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种硅片形貌调整方法、装置和设备，涉及半导体技术领域，所述硅片形貌调整方法包括：获取经硅片研磨设备加工后的第一硅片的形貌图，根据所述形貌图，得到所述第一硅片的形貌参数，所述形貌参数用于指示所述第一硅片表面的微观形貌特征，根据所述形貌参数，调整所述硅片研磨设备的加工参数。本发明中，通过形貌参数表征硅片的微观几何特征，可以直观、便捷、准确的得到硅片的微观形貌特征是否合格，在形貌参数指示微观形貌特征不合格或者不满足预设要求的情况下，通过调整硅片研磨设备的加工参数，使得调整后的硅片研磨设备所加工的硅片的微观形貌特征得到精确调整，进而合格或者满足预设要求。
本发明授权硅片形貌调整方法、装置和设备在权利要求书中公布了：1.一种硅片形貌调整方法，其特征在于，所述方法包括： 获取经硅片研磨设备加工后的第一硅片的形貌图； 根据所述形貌图，得到所述第一硅片的形貌参数，所述形貌参数用于指示所述第一硅片表面的微观形貌特征； 根据所述形貌参数，调整所述硅片研磨设备的加工参数； 其中，获取经硅片研磨设备加工后的第一硅片的形貌图，包括： 对经过所述第一硅片上第一直径的测量点的凹凸情况进行检测，得到所述第一直径上的测量点的凹凸值； 根据所述第一直径上的测量点的凹凸值，得到所述第一硅片的形貌图；其中，所述第一直径为所述第一硅片上的至少一个直径； 其中，根据所述形貌图，得到所述第一硅片的形貌参数，包括： 根据所述形貌图，生成所述第一硅片上每一第一直径对应的二维曲线； 针对每一第一直径上的测量点，对所述第一直径对应的二维曲线上每一所述测量点求导，得到所述测量点对应的曲率值； 根据所述曲率值，得到所述第一硅片的形貌参数。
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