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龙图腾网获悉河北同光半导体股份有限公司申请的专利一种碳化硅单晶用生长装置及生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119265694B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411444317.4，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种碳化硅单晶用生长装置及生长方法是由李扬;郑向光;杨昆;刘新辉;路亚娟设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅单晶用生长装置及生长方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅单晶用生长装置及生长方法，属于碳化硅晶体生长技术领域，所述碳化硅单晶用生长装置包括坩埚、籽晶固定组件、原料区、石墨筒以及保温结构，所述坩埚具有位于中心的第一腔体、位于所述第一腔体外周的第二腔体，所述坩埚的顶部和底部均凹陷形成有测温槽；所述籽晶固定组件包括设于所述第一腔体内顶部的上固定件和设于所述第一腔体内底部的下固定件，所述上固定件和所述下固定件位于籽晶外周的空间围合形成生长腔；所述原料区设于所述第二腔体内背离所述生长腔的一圈；所述石墨筒设于所述原料区的内周，所述石墨筒上设有开孔；所述保温结构设于所述坩埚外周，所述保温结构具有与所述测温槽对应的通孔。

本发明授权一种碳化硅单晶用生长装置及生长方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅单晶用生长装置，其特征在于，包括： 坩埚，具有位于中心的第一腔体、位于所述第一腔体外周的第二腔体，所述第一腔体和所述第二腔体连通，所述第二腔体的顶面高于所述第一腔体的顶面，底面低于所述第一腔体的底面，所述坩埚的顶部和底部均凹陷形成有测温槽，两个所述测温槽位于所述第一腔体的顶部和底部，第一腔体和第二腔体的截面呈H型； 籽晶固定组件，包括设于所述第一腔体内顶部的上固定件和设于所述第一腔体内底部的下固定件，所述上固定件和所述下固定件位于籽晶外周的空间围合形成生长腔，所述生长腔沿靠近所述第二腔体的方向宽度逐渐增大，籽晶进行侧面生长，生长方向垂直于籽晶中穿透型位错的位错线； 原料区，设于所述第二腔体内背离所述生长腔的一圈； 石墨筒，设于所述原料区的内周，所述石墨筒上设有开孔； 保温结构，设于所述坩埚外周，所述保温结构具有与所述测温槽对应的通孔； 所述上固定件和所述下固定件均包括： 石墨片，固接于所述第一腔体内的顶壁或底壁，所述石墨片的中部具有安装孔，所述石墨片的顶面凹陷形成有与所述安装孔同轴的柱形空腔，所述空腔的直径大于所述安装孔的直径； 插杆，与所述安装孔配合； 固定盘，固接于所述插杆朝向籽晶的一端； 其中，所述固定盘和所述空腔的直径均小于籽晶的直径，所述上固定件中的所述石墨片的底面和所述下固定件中所述石墨片的顶面围合形成所述生长腔； 所述保温结构包括： 外保温层，包裹于所述坩埚的外周，所述外保温层对应所述坩埚的第二腔体，所述外保温层的顶部和底部分别开设有对应所述测温槽的测温孔； 内保温层，分别设于两个所述测温槽的侧壁，所述内保温层的内径小于所述测温孔的直径； 通过调节外保温层位于坩埚顶部和底部部分的厚度，以及结合内保温层厚度的调节，调节坩埚内轴向的温度梯度。

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