中国科学院重庆绿色智能技术研究院魏大鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院重庆绿色智能技术研究院申请的专利一种碳基场效应力敏突触器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277877B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411379886.5，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种碳基场效应力敏突触器件及其制备方法是由魏大鹏;梁宇晖;唐甜设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳基场效应力敏突触器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳基场效应力敏突触器件及其制备方法，其突触器件包括重叠设置的碳基叠层共型突触前膜和碳基场效应突触后膜，碳基叠层共型突触前膜包括依次叠层设置的递质层、改性石墨烯浮栅层和介电层，递质层为六方氮化硼层或离子凝胶层，碳基叠层共型突触前膜呈多个阵列分布的倒金字塔结构，递质层和沟道层之间形成微结构分离式界面，介电层接收到动作电位脉冲时，递质层的最高位点与沟道层接触。本发明将人工突触电子学与异质结技术相结合，力敏浮栅为阵列式微分离结构，基于碳基场效应在压力传感领域实现感存算功能在突触界面的高度集成，不仅实现了力‑电信号转换，还能够模拟由神经元和突触组成的生物神经系统。
本发明授权一种碳基场效应力敏突触器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳基场效应力敏突触器件，其特征在于：包括重叠设置的碳基叠层共型突触前膜1和碳基场效应突触后膜2，所述碳基场效应突触后膜2包括沟道层21、在沟道层21两端形成的源极22和漏极23；所述碳基叠层共型突触前膜1包括依次叠层设置的递质层11、改性石墨烯浮栅层12和介电层13，所述递质层11为六方氮化硼层或离子凝胶层，所述碳基叠层共型突触前膜1呈多个阵列分布的倒金字塔结构，所述递质层11和沟道层21之间形成微结构分离式界面，所述介电层13接收到动作电位脉冲时，所述递质层11的最高位点可与沟道层21接触；所述介电层13远离改性石墨烯浮栅层12的一侧侧面覆盖设置有顶栅层14，所述顶栅层14的材料为碳纳米复合材料。
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