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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利IGBT器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300377B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411442875.7，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权IGBT器件结构及其制备方法是由曹功勋设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种IGBT器件结构及其制备方法，包括：于有源区内形成多个栅沟槽、形成栅氧化层、多晶硅层；形成栅线掩膜图形；形成多晶硅栅线，多晶硅栅线上保留栅线掩膜图形；沉积硬掩模介质，形成显露出有源区表面的第一窗口和第二窗口，第二窗口显露栅线上的栅线掩膜图形；进行刻蚀，基于刻蚀选择比，第一窗口内的半导体衬底被部分去除以形成发射区接触孔，第二窗口内的栅线掩膜图形未被去除以保护栅线；湿法去除第二窗口内的栅线掩膜图形，以形成栅线接触孔。本发明发射区接触孔和线接触孔的制备仅需使用一张掩膜版进行光刻和刻蚀，相比传统工艺有效减少一张掩膜版，简化了工艺流程，缩短了生产周期，减少流片成本的同时提高了生产效率。

本发明授权IGBT器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供一半导体衬底，在所述半导体衬底设有依次排布的有源区、过渡区和终端区； 于所述有源区内形成多个间隔排布的栅沟槽，于各所述栅沟槽的底部及侧壁形成栅氧化层； 于所述栅沟槽内及所述半导体衬底表面形成多晶硅层； 于所述多晶硅层表面形成介质保护层，并对所述介质保护层进行图形化刻蚀，以形成栅线掩膜图形； 基于所述栅线掩膜图形刻蚀所述多晶硅层，以形成多晶硅栅线，所述多晶硅栅线上保留所述栅线掩膜图形； 于所述半导体衬底上沉积硬掩模介质，并对所述硬掩模介质进行图形化，形成显露出有源区表面的第一窗口和显露所述栅线接触区域的第二窗口，所述第二窗口显露所述栅线上的栅线掩膜图形； 基于所述硬掩模介质进行刻蚀，通过设置所述半导体衬底与所述栅线掩膜图形的刻蚀选择比，所述有源区处的所述第一窗口内的半导体衬底被部分去除以形成发射区接触孔，所述栅线接触区域处的第二窗口内的栅线掩膜图形未被去除以保护所述栅线； 通过湿法工艺去除所述第二窗口内的栅线掩膜图形，以形成显露所述栅线的栅线接触孔； 于所述发射区接触孔和所述栅线接触孔中形成正面金属。

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