长鑫存储技术有限公司唐怡获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储单元、存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317099B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310828778.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储单元、存储器及其制备方法是由唐怡设计研发完成，并于2023-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元、存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种存储单元、存储器及其制备方法。在该存储单元中，半导体层呈封闭环形；半导体层的环内区域包括在第一方向上绝缘隔离的第一区域和第二区域。半导体层包括：环绕第一区域部分边界的第一半导体部，以及环绕第二区域部分边界的第二半导体部。第一栅极位于第一区域内。两个第二栅极分别位于第一半导体部背离第一栅极且在第二方向上相对的两侧；第二方向和第一方向相交。接触电极保形覆盖第二半导体部的内侧壁。第一电极位于第二区域内，并与接触电极绝缘。第二电极位于第二半导体部沿第一方向和第二方向背离第一电极的外侧，并与第二半导体部相绝缘。本公开利于提升存储器的存储密度、存储容量以及存储器的电学性能及可靠性。
本发明授权存储单元、存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括： 半导体层，呈封闭环形；所述半导体层的环内区域包括在第一方向上绝缘隔离的第一区域和第二区域；所述半导体层包括：环绕所述第一区域部分边界的第一半导体部，以及环绕所述第二区域部分边界的第二半导体部； 第一栅极，位于所述第一区域内； 两个第二栅极，分别位于所述第一半导体部背离所述第一栅极且在第二方向上相对的两侧；所述第二方向和所述第一方向相交； 接触电极，保形覆盖所述第二半导体部的内侧壁； 第一电极，位于所述第二区域内； 第一介电层，包覆所述第一电极的各侧壁并保形覆盖所述接触电极的内侧壁； 第二电极，位于所述第二半导体部沿所述第一方向和所述第二方向背离所述第一电极的外侧； 第二介电层，位于所述第二半导体部和所述第二电极之间，并保形覆盖所述第二半导体部的部分外侧壁；所述第二电极保形覆盖所述第二介电层的外侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励