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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种弥补结构、半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119381258B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311216104.1，技术领域涉及：H01L21/321；该发明授权一种弥补结构、半导体结构及其制备方法是由朱美燕;李培超;宋思楠;王静设计研发完成，并于2023-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种弥补结构、半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种弥补结构、半导体结构及其制备方法，方法包括：金属栅的第一栅区填充栅氧层图形密集区的空隙，第二栅区在隔离区远离图形密集区的一侧，第三栅区覆盖栅氧层、第一栅区和第二栅区的上表面；金属栅上设置光刻胶曝光显影刻蚀，在第三栅区对应隔离区和第二栅区上方的位置形成图形化的弥补区域，于弥补区域内填充填充层，研磨金属栅显露栅氧层。本发明通过在金属栅设置弥补区域，避免研磨产生的负载效应和碟形凹陷；同时通过控制刻蚀金属栅的时间避免过蚀，保证结构良率；另外，利用在金属栅上设置硬掩膜层，避免对金属栅的过蚀，缩减控制刻蚀时间的工艺步骤，提高工艺效率。

本发明授权一种弥补结构、半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供一半导体结构，所述半导体结构包括有源区、栅氧层和金属栅，所述栅氧层设置于所述有源区上；所述栅氧层包括图形密集区和隔离区，所述图形密集区为密集的图形化栅氧材料，所述隔离区为整块用于隔离的栅氧材料；所述金属栅包括第一栅区、第二栅区和第三栅区，所述第一栅区填充于所述图形密集区的空隙，所述第二栅区与所述隔离区远离所述图形密集区的一侧相邻，所述第三栅区覆盖所述栅氧层、所述第一栅区和所述第二栅区的上表面； 于所述金属栅上设置光刻胶，于所述光刻胶上设置光刻掩膜版进行曝光，所述光刻掩膜版在对应所述隔离区和所述第二栅区上方的位置设置有图形化结构以使曝光光线通过； 对所述光刻胶进行显影，使所述光刻胶对应所述隔离区和所述第二栅区的上方曝光的位置被去除，显露出部分所述金属栅； 对显露出的所述金属栅进行刻蚀，使所述金属栅在所述隔离区和所述第二栅区的上方对应的所述第三栅区形成与所述图形密集区对应的图形化的弥补区域，去除所述光刻胶； 于所述金属栅内图形化的所述弥补区域内填充填充层； 研磨所述金属栅至显露所述栅氧层。

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