长鑫科技集团股份有限公司宛强获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119381391B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310904100.6，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权半导体结构及其制造方法是由宛强;孙耀;张文杰;曲晓帅设计研发完成，并于2023-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：在衬底上依次形成第一支撑层、第一牺牲层以及第二支撑层；在第一支撑层、第一牺牲层以及第二支撑层上形成多个第一电容孔；在第一电容孔内填充第一子电极；在第二支撑层上形成至少一个第一通孔；在第二支撑层上依次形成第二牺牲层和第三支撑层；在第三支撑层和第二牺牲层上形成第二电容孔，第二电容孔在衬底上的正投影落入第一电容孔在衬底上的正投影中，且第二电容孔暴露出第一子电极；在第二电容孔内填充第二子电极，第二子电极与第一子电极组合为下电极层。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 在衬底上依次形成由下至上的第一支撑层、第一牺牲层以及第二支撑层； 在所述第一支撑层、所述第一牺牲层以及所述第二支撑层上形成多个第一电容孔； 在所述第一电容孔内填充第一子电极； 在所述第二支撑层上形成至少一个第一通孔； 在所述第二支撑层上依次形成由下至上的第二牺牲层和第三支撑层，所述第二牺牲层填充所述第一通孔，并通过所述第一通孔与所述第一牺牲层连接； 在所述第三支撑层和所述第二牺牲层上形成第二电容孔，所述第二电容孔在所述衬底上的正投影落入所述第一电容孔在所述衬底上的正投影中，且所述第二电容孔暴露出所述第一子电极； 在所述第二电容孔内填充第二子电极，所述第二子电极与所述第一子电极组合为下电极层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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