长鑫科技集团股份有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利存储单元及其制作方法以及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119383951B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310904128.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储单元及其制作方法以及半导体结构是由唐怡设计研发完成，并于2023-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元及其制作方法以及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种存储单元及其制作方法以及半导体结构，其中，存储单元包括：沿第一方向延伸的第一字线；沿第一方向延伸的第一位线，第一位线与第一字线沿第二方向排布，且第一位线与第一字线间隔；第一沟道层，第一沟道层位于第一位线及第一字线之间，且分别与第一位线及第一字线电连接；沿第三方向延伸的第二字线；沿第三方向延伸的第二沟道层，第二沟道层环绕第二字线，第二沟道层控制第一字线与第一位线之间的传输路径导通与关断；第二位线，第二位线至少位于第二字线沿第二方向的一侧，且与第二沟道层电连接，与第一字线及第一位线在第三方向间隔，可以提供一种新的存储单元结构。
本发明授权存储单元及其制作方法以及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括： 沿第一方向延伸的第一字线； 沿所述第一方向延伸的第一位线，所述第一位线与所述第一字线沿第二方向排布，且所述第一位线与所述第一字线间隔； 第一沟道层，所述第一沟道层位于所述第一位线及所述第一字线之间，且分别与所述第一位线及所述第一字线电连接，第一晶体管包括：所述第一字线、所述第一位线及所述第一沟道层； 沿第三方向延伸的第二字线； 沿所述第三方向延伸的第二沟道层，所述第二沟道层与所述第二字线相对设置，所述第二沟道层控制所述第一字线与所述第一位线之间的传输路径导通与关断； 第二位线，所述第二位线至少位于所述第二字线沿所述第二方向的一侧，且与所述第二沟道层电连接，所述第二位线与所述第一字线及所述第一位线在所述第三方向间隔，第二晶体管包括：所述第二字线、所述第二沟道层及所述第二位线。
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