长鑫科技集团股份有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403121B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310921681.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构是由唐怡设计研发完成，并于2023-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构，存储单元结构包括：沿第一方向上依次接触连接的第一晶体管、存储区和第二晶体管；第一晶体管包括沿第二方向上依次接触连接的第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，第二晶体管包括沿第二方向上依次接触连接的第四掺杂区、第五掺杂区和第六掺杂区，存储区具有沿第一方向上相对的第一侧和第二侧，第二掺杂区与第一侧接触连接，第五掺杂区与第二侧接触连接；第一掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区、第六掺杂区中均掺杂有第一掺杂离子，第二掺杂区、存储区和第五掺杂区中均掺杂有第二掺杂离子。本公开实施例至少可以有利于提高存储单元结构的电学性能。
本发明授权存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构在权利要求书中公布了：1.一种存储单元结构，其特征在于，包括： 沿第一方向上依次接触连接的第一晶体管、存储区和第二晶体管； 其中，所述第一晶体管包括沿第二方向上依次接触连接的第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第二晶体管包括沿所述第二方向上依次接触连接的第四掺杂区、第五掺杂区和第六掺杂区，所述存储区具有沿所述第一方向上相对的第一侧和第二侧，所述第二掺杂区与所述第一侧接触连接，所述第五掺杂区与所述第二侧接触连接，所述第一方向和所述第二方向相交； 所述第一掺杂区、所述第三掺杂区、所述第四掺杂区、所述第六掺杂区中均掺杂有第一掺杂离子，所述第二掺杂区、所述存储区和所述第五掺杂区中均掺杂有第二掺杂离子，所述第一掺杂离子和所述第二掺杂离子中的一者为N型掺杂离子，另一者为P型掺杂离子。
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