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龙图腾网获悉华通芯电(上海)集成电路科技有限公司申请的专利一种半导体器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411493942.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种半导体器件及制备方法是由张彦昌;尹成功设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，包括氮化镓外延片；第一介质层、第二介质层以及第三介质层，依次沉积在氮化镓外延片的上表面，第二介质层内设有栅极，第二介质层与第三介质层之间设有第一源极场板；第一漏极沉积在氮化镓外延片上表面的一端，第二漏极设置在第一漏极的上表面；第一源极沉积在氮化镓外延片远离第一漏极一端的上表面，第二源极设置在第一源极的上表面；第二源极场板，沉积在第三介质层的上表面；钝化层，沉积在第三介质层的上表面，钝化层的下表面与第二源极场、第二漏极以及第二源极的上表面相接触。本发明能够有效提升击穿电压的效果，并且能够达到无需增加额外的工艺层次实现多个场板的目的。

本发明授权一种半导体器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 氮化镓外延片； 第一介质层、第二介质层以及第三介质层，依次沉积在所述氮化镓外延片的上表面，所述第二介质层内设有栅极，所述栅极的底部贯穿所述第一介质层并与所述氮化镓外延片的上表面相接触，所述第二介质层与所述第三介质层之间设有第一源极场板，其中，所述第一介质层、所述第二介质层、所述第一源极场板以及所述氮化镓外延片组成半导体结构MIS1，所述半导体结构MIS1的阈值电压为30～50％*Vbr，Vbr表示半导体器件击穿电压设计值； 第一漏极以及第二漏极，所述第一漏极沉积在所述氮化镓外延片上表面的一端，所述第二漏极设置在所述第一漏极的上表面； 第一源极以及第二源极，所述第一源极沉积在所述氮化镓外延片远离所述第一漏极一端的上表面，所述第二源极设置在所述第一源极的上表面； 第二源极场板，沉积在所述第三介质层的上表面，其中，所述第一介质层、所述第二介质层、所述第三介质层、所述第二源极场板以及所述氮化镓外延片组成半导体结构MIS2，所述半导体结构MIS2的阈值电压为70～90％*Vbr； 钝化层，沉积在所述第三介质层的上表面，所述钝化层的下表面与所述第二源极场板、所述第二漏极以及所述第二源极的上表面相接触。

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