盛合晶微半导体(江阴)有限公司陈彦亨获国家专利权
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龙图腾网获悉盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利一种背面供电的芯片堆叠结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119447064B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310943787.4，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权一种背面供电的芯片堆叠结构及其制备方法是由陈彦亨;林正忠设计研发完成，并于2023-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种背面供电的芯片堆叠结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种背面供电的芯片堆叠结构及其制备方法，该芯片堆叠结构包括上下键合的两个芯片，两个芯片通过相互键合的信号连接层实现信号传输，同时结合电力轨及埋入式电力层的设置，只需在第一芯片的背面形成金属互连层作为背面供电层，就能使上下芯片的晶体管均能得到供电，实现电信号的传输。通过堆叠设计，该芯片堆叠结构能够在同样的面积下实现双倍的晶体管数量，例如可以只使用14nm制程，达到7nm制程下的晶体管数量。同时，与第一芯片键合的第二芯片还充当了临时载片的作用，无需再额外提供临时载片，进一步降低制作成本。此外，还将制作背面供电通道的工序进行前移，使得制备过程自下而上顺次进行，制程合理性更好。
本发明授权一种背面供电的芯片堆叠结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背面供电的芯片堆叠结构，其特征在于，所述芯片堆叠结构包括： 第一芯片，包括自下而上依次叠置的硅沉积层、埋入式电力层、介电层及信号连接层，所述介电层内形成有多个与所述埋入式电力层电连接的晶体管，所述信号连接层内形成有金属线，以实现与所述晶体管的信号连接； 第二芯片，键合于所述第一芯片上方，包括自上而下依次叠置的第二基板、埋入式电力层、介电层及信号连接层，所述介电层内形成有多个与所述埋入式电力层电连接的晶体管，所述信号连接层内形成有金属线，以实现与所述晶体管的信号连接； 所述第一芯片及第二芯片还分别形成有电力轨，所述电力轨贯穿所述介电层及信号连接层，以电连接所述埋入式电力层；两个芯片的信号连接层相接触实现信号连接；两个芯片的电力轨相接触实现电连接。
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