长鑫科技集团股份有限公司萧聪获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451118B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310977063.1，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权半导体结构及其制备方法是由萧聪;曾凡清设计研发完成，并于2023-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底；堆叠结构，位于基底上，包括交替层叠设置的多个半导体掺杂层与多个第一隔离结构；字线结构，由堆叠结构贯穿至基底；存储结构，由堆叠结构贯穿至基底，且环绕字线结构；沟道层，位于相邻半导体掺杂层之间，且环绕存储结构，且被第一隔离结构包围；并且，第一隔离结构包括第一隔离部以及第一导电部，第一隔离部位于沟道层与第一导电部之间，且位于半导体掺杂层与第一导电部之间，且第一导电部用于接入预设电源电压。本申请实施例可以有效提高闪存器件性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 堆叠结构，位于所述基底上，包括交替层叠设置的多个半导体掺杂层与多个第一隔离结构； 字线结构，由所述堆叠结构贯穿至所述基底； 存储结构，由所述堆叠结构贯穿至所述基底，且环绕所述字线结构； 沟道层，位于相邻半导体掺杂层之间，且环绕所述存储结构，且被所述第一隔离结构包围； 并且，所述第一隔离结构包括第一隔离部以及第一导电部，所述第一隔离部位于所述沟道层与所述第一导电部之间，且位于所述半导体掺杂层与所述第一导电部之间，且所述第一导电部用于接入预设电源电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫科技集团股份有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励