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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利掩膜结构的形成方法及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310965685.2，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权掩膜结构的形成方法及半导体结构的形成方法是由张家云;吕晖;吴小鹏设计研发完成，并于2023-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩膜结构的形成方法及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种掩膜结构的形成方法，该方法包括：形成第一掩膜层、第二掩膜层和第三掩膜层；图案化位于阵列区和标记区的第三掩膜层和第二掩膜层，得到具有多个第一开口和多个第二开口的第二叠层结构，各第一开口和各第二开口贯穿剩余第三掩膜层并延伸至第二掩膜层的内部，各第一开口在衬底上的正投影位于阵列区，各第二开口在衬底上的正投影位于标记区；形成第四掩膜层，在阵列区控制第四掩膜层的表面与第三掩膜层的表面齐平；刻蚀第四掩膜层以及第二叠层结构，在标记区形成标记图案。本公开提供的掩膜结构，消除了工艺缺陷导致的标记形成缺陷问题，同时减少了形成标记所需的掩膜数量，提高了器件的形成质量，降低了成本。

本发明授权掩膜结构的形成方法及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种掩膜结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括阵列区和外围区，所述外围区包括标记区和非标记区，所述非标记区为所述外围区中除去所述标记区的区域； 在所述衬底的表面上形成第一叠层结构，所述第一叠层结构包括依次堆叠的第一掩膜层、第二掩膜层和第三掩膜层； 图案化位于所述阵列区和所述标记区的所述第三掩膜层和所述第二掩膜层，得到具有多个第一开口和多个第二开口的第二叠层结构，使得位于所述阵列区和所述标记区的剩余所述第三掩膜层的厚度小于位于所述非标记区的所述第三掩膜层的厚度，位于所述阵列区且与各所述第一开口对应的剩余所述第二掩膜层的厚度和位于所述标记区且与各所述第二开口对应的剩余所述第二掩膜层的厚度均小于位于所述非标记区的所述第二掩膜层的厚度，且各所述第一开口和各所述第二开口贯穿剩余所述第三掩膜层并延伸至所述第二掩膜层的内部，各所述第一开口在所述衬底上的正投影位于所述阵列区，各所述第二开口在所述衬底上的正投影位于所述标记区； 在各所述第一开口和各所述第二开口内形成第四掩膜层，并控制位于所述阵列区的所述第四掩膜层的表面与位于所述阵列区的剩余所述第三掩膜层的表面齐平； 刻蚀所述第四掩膜层以及所述第二叠层结构，以露出所述衬底的表面，在所述阵列区形成转移图案，在所述标记区形成标记图案。

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