上海美维科技有限公司郭伟获国家专利权
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龙图腾网获悉上海美维科技有限公司申请的专利一种封装基板上凸点阵列的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119495575B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311033927.0，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种封装基板上凸点阵列的制备方法是由郭伟;杨威设计研发完成，并于2023-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种封装基板上凸点阵列的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种封装基板上凸点阵列的制备方法，采用3D打印的方法形成凸点，从而实现了小尺寸和小节距凸点阵列的制备，且可以制备更多类型的异形凸点，从而为研究新的键合方式提供了结构基础，该方法以单个凸点为单位进行，从而避免了以整个封装基板为单位的处理过程，更加便于随时进行凸点阵列的返修，从而能够大幅度提升生产良率；本发明采用的3D打印方法直接利用激光器对凸点进行同步烧结成型，大大简化了凸点阵列的制备工艺流程，解决了传统工艺流程复杂、设备多且昂贵的问题，对于小批量封装基板的生产和研发而言，极大地降低了生产制造前期的成本投入，极大地提高了加工效率，缩短了研发时间并且具有较高的生产良率。
本发明授权一种封装基板上凸点阵列的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种封装基板上凸点阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： S1：提供一封装基板，所述封装基板包括相对设置的正面和背面，所述封装基板的正面设有表面焊盘阵列； S2：将所述封装基板的背面固定在载台上并利用第一光学装置进行第一次扫描识别并记录所述表面焊盘阵列的第二位置信息，所述载台上设有对所述封装基板加热的加热装置，且所述加热装置的工作温度范围为30℃~200℃； S3：提供初始设计时表面焊盘阵列的第一位置信息，并将所述第一位置信息与所述第二位置信息进行对比，从而选出需要形成凸点的所述表面焊盘阵列； S4：在需要形成凸点阵列的所述表面焊盘阵列上利用3D打印的方法第一次形成凸点； S5：利用第二光学装置对形成所述凸点的所述表面焊盘阵列进行第二次扫描，识别缺陷类型并记录所述缺陷类型所在的位置； S6：在缺陷类型所在的位置处再次利用3D打印的方法第二次形成凸点； S7：重复步骤S5~S6，直至需要形成凸点的所述表面焊盘阵列上的凸点全部完成。
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