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龙图腾网获悉上海凌世电磁技术有限公司申请的专利一种地偏移测试电路、方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119535047B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411695350.4，技术领域涉及：G01R31/00；该发明授权一种地偏移测试电路、方法及装置是由赵大勇;郭洪涛;杨润泽设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种地偏移测试电路、方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种地偏移测试电路、方法及装置，该地偏移测试电路包括：单片机模块，用于控制电路的操作，包括生成控制信号，以调节电压生成模块的输出并对切换电路进行控制；第一电压生成电路、即Us端1V电压生成电路，包括运算放大器U1、电阻R1、R2和电容C1，用于生成+1V偏移电压，施加在Us正端和AGND之间；第二电压生成电路、即GND端1V电压生成电路，包括运算放大器U2、电阻R3、R4和R7，用于生成‑1V偏移电压，施加在GND端和AGND之间。本发明通过设计独立的Us端1V电压生成电路和GND端1V电压生成电路，分别生成精确的+1V和‑1V偏移电压，能够满足地偏移测试对正负偏移的严格要求。相比现有技术，本发明的电路能够更精确地调节偏移电压，确保在各种测试场景下信号参考的稳定性。

本发明授权一种地偏移测试电路、方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种地偏移测试电路，用于在输入电压的正端Us和地端AGND施加偏移电压，其特征在于，该地偏移测试电路包括： 单片机模块1，用于控制电路的操作，包括生成控制信号，以调节电压生成模块的输出并对切换电路进行控制； 第一电压生成电路2、即Us端1V电压生成电路，包括运算放大器U1、电阻R1、R2和电容C1，用于生成+1V偏移电压，施加在Us正端和AGND之间； 第二电压生成电路3、即GND端1V电压生成电路，包括运算放大器U2、电阻R3、R4和R7，用于生成‑1V偏移电压，施加在GND端和AGND之间； Us端电源输入模块4，用于向Us端提供电源输入，且包含与电压生成电路连接的保护电路； 功率电源输入模块5，包括正向电源POW+和负向电源POW‑，用于提供电路操作所需的正负电源，连接至电压生成和放大模块； 运放电路及功率器件模块6，包括运算放大器U3、U4、电阻R5、R8和达林顿功率输出电路，用于进一步放大偏移电压并稳定高电流输出； 用户负载模块7，用于接收调节后的偏移电压，以验证在不同地偏移条件下被测设备DUT的性能。

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