西安交通大学刘思远获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种利用多个接触片分割电弧的真空灭弧室获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119542069B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411677976.2，技术领域涉及：H01H33/664；该发明授权一种利用多个接触片分割电弧的真空灭弧室是由刘思远;陈宏羿;陈金超;袁子傲;刘志远;耿英三设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用多个接触片分割电弧的真空灭弧室在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用多个接触片分割电弧的真空灭弧室，通过在真空灭弧室的动端电极触头和静端电极触头之间加装n个接触片，人为地构造了n+1个近似串联的真空短间隙，其中n≥2。在合闸时，所述接触片夹在动端电极触头和静端电极触头之间，动端电极触头、接触片和静端电极触头紧密接触实现正常通流；分闸时，动端电极触头动作以后，接触片在重力作用下自然下落，又因双挂钩弹簧弹力和挂环拉力停在两触头之间，将真空间隙分隔成了n+1个近似串联的断口，缓解了真空长间隙存在的饱和效应。
本发明授权一种利用多个接触片分割电弧的真空灭弧室在权利要求书中公布了：1.一种利用多个接触片分割电弧的真空灭弧室，其特征在于：在真空灭弧室的动端电极触头3和静端电极触头5之间加装n个接触片2，其中n≥2，在开断电弧时，真空灭弧室的动端电极触头3和静端电极触头5之间通过接触片2的隔离形成n+1个近似串联的真空短间隙，有效缓解真空长间隙的饱和效应，提高了真空灭弧室的电压耐受能力和开断水平。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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