长鑫科技集团股份有限公司刘小平获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119542329B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411834462.3，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权半导体结构及其制作方法和半导体器件是由刘小平;徐丹;黄铭辉设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法和半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其制作方法和半导体器件，该半导体结构包括：中介层，所述中介层中具有多个由所述中介层顶面朝向所述中介层内部延伸的沟槽组成的沟槽阵列，所述沟槽还沿平行于所述中介层顶面的一预设方向延伸；电容，位于所述沟槽中，所述电容包括依次层叠的第一电极层、第一电容介质层以及第二电极层，所述第一电容介质层覆盖所述第一电极层的表面，所述第二电极层覆盖所述第一电容介质层的表面；引出电极层，位于所述中介层中，所述引出电极层与所述第一电极层和或所述第二电极层电连接，且沿所述预设方向延伸。该半导体结构具有大容量、快速充放电、高集成度、高可靠性的优点，其排布方式也能较好地解决应力问题。
本发明授权半导体结构及其制作方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 中介层，所述中介层中具有多个由所述中介层顶面朝向所述中介层内部延伸的沟槽组成的沟槽阵列，所述沟槽还沿平行于所述中介层顶面的一预设方向延伸； 电容，位于所述沟槽中，所述电容至少包括依次层叠的第一电极层、第一电容介质层以及第二电极层，所述第一电容介质层覆盖所述第一电极层的表面，所述第二电极层覆盖所述第一电容介质层的表面； 引出电极层，位于所述中介层中，所述引出电极层与所述第一电极层和或所述第二电极层电连接，且沿所述预设方向延伸，所述引出电极层还沿所述沟槽在所述中介层中的深度方向延伸，所述引出电极层包括第一引出电极层，所述第一引出电极层位于相邻所述沟槽之间且与所述第一电极层电连接。
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