浙江创芯集成电路有限公司黄江海获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581411B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411785324.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由黄江海;王江红;陶然设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：衬底上具有栅极结构，栅极结构至少一侧的衬底内具有源漏区，栅极结构和衬底上形成有层间介质层；在层间介质层内形成第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽的位置与栅极结构相对应，第二凹槽的位置与源漏区的位置对应；在第一凹槽的侧壁和第二凹槽的侧壁形成侧向阻挡层；在侧壁形成有侧向阻挡层的第一凹槽和第二凹槽内形成介质结构；形成先后贯穿介质结构和层间介质层的第一通孔和第二通孔，第一通孔位于栅极结构上，第二通孔位于源漏区上。侧向阻挡层延缓了第一通孔和第二通孔在平行衬底表面方向的刻蚀速率，有效降低了第一通孔和第二通孔顶部位置发生过刻蚀而造成第一通孔和第二通孔的关键尺寸过大的现象出现。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上具有栅极结构，所述栅极结构至少一侧的衬底内具有源漏区，所述栅极结构和所述衬底上形成有层间介质层； 在所述层间介质层内形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽的位置与所述栅极结构相对应，所述第二凹槽的位置与所述源漏区的位置对应； 在所述第一凹槽的侧壁和所述第二凹槽的侧壁形成侧向阻挡层； 在侧壁形成有所述侧向阻挡层的第一凹槽和第二凹槽内形成介质结构； 形成先后贯穿所述介质结构和所述层间介质层的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔位于所述栅极结构上，所述第二通孔位于所述源漏区上。
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