浙江创芯集成电路有限公司张严获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653806B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411830178.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张严设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底上具有多个分立的栅氧化层，以及位于栅氧化层上方的栅极结构，且相邻栅极结构之间具有沟槽；在基底上形成覆盖栅极结构，且填充满沟槽的层间介质层，层间介质层具有设定厚度；其中，形成层间介质层的步骤包括：采用离子沉积工艺，在基底上形成覆盖栅极结构，且填充沟槽的第一层间介质层；在第一层间介质层上形成第二层间介质层，第二层间介质层填充满第一层间介质层中的沟槽；其中，沿基底表面的法线方向，第一层间介质层具有第一预设厚度，第二层间介质层具有第二预设厚度。采用上述技术方案，能够提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上具有多个分立的栅氧化层，以及位于所述栅氧化层上方的栅极结构，且相邻所述栅极结构之间具有沟槽； 在所述基底上形成覆盖所述栅极结构，且填充满所述沟槽的层间介质层，所述层间介质层具有设定厚度；其中，形成所述层间介质层的步骤包括：采用离子沉积工艺，在所述基底上形成覆盖所述栅极结构，且填充所述沟槽的第一层间介质层；在所述第一层间介质层上形成第二层间介质层，所述第二层间介质层填充满所述第一层间介质层中的沟槽； 其中，沿所述基底表面的法线方向，所述第一层间介质层具有第一预设厚度，所述第二层间介质层具有第二预设厚度，且所述第一预设厚度和所述第二预设厚度之和为所述设定厚度，所述第一预设厚度用于控制所述离子沉积工艺的工艺时长。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江创芯集成电路有限公司，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道平澜路2118号浙江大学杭州国际科创中心水博园区11幢4层-5层(自主申报)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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