长鑫科技集团股份有限公司曹堪宇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119697991B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411834410.6，技术领域涉及：H10B41/20；该发明授权半导体器件及其制备方法是由曹堪宇;宋增超;王振翰;卢小龙;葛瑞;邢韵设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制备方法。半导体器件制备方法包括：提供衬底，并在衬底上形成多个第一牺牲层和多个第二牺牲层的交替布置的堆叠层，其中，第二牺牲层和衬底的材料相同；形成贯穿堆叠层的垂直开口，且延伸至衬底中，在衬底内形成凹腔；在衬底的凹腔内形成保护层；以保护层为刻蚀停止层，沿垂直开口横向刻蚀堆叠层中部分第二牺牲层，形成在竖直方向间隔排布的多个侧腔；分别在多个侧腔暴露的第二牺牲层的表面形成多个下电极；在多个下电极的表面形成电容介质层，电容介质层还位于垂直开口内，且与保护层接触；在电容介质层的表面形成上电极，其中，多个下电极、电容介质层以及上电极组成电容器结构。本公开实施例可以改善器件性能。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，并在所述衬底上形成多个第一牺牲层和多个第二牺牲层的交替布置的堆叠层，其中，所述第二牺牲层和所述衬底的材料相同； 形成贯穿所述堆叠层的垂直开口，且所述垂直开口延伸至所述衬底中，在所述衬底内形成凹腔； 在所述衬底的凹腔内形成保护层； 以所述保护层为刻蚀停止层，沿所述垂直开口横向刻蚀所述堆叠层中部分第二牺牲层，形成在竖直方向间隔排布的多个侧腔； 分别在多个所述侧腔暴露的所述第二牺牲层的表面形成多个下电极； 在多个所述下电极的表面形成电容介质层，所述电容介质层还位于所述垂直开口内，且与所述保护层接触； 在所述电容介质层的表面形成上电极，其中，所述多个下电极、所述电容介质层以及所述上电极组成电容器结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫科技集团股份有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励