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龙图腾网获悉西南科技大学申请的专利量热式微流量传感器的电极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119826912B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411988271.2，技术领域涉及：G01F1/68；该发明授权量热式微流量传感器的电极及其制备方法是由余家欣;汪聪;廖晓波;张亚锋;滕林啸设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本量热式微流量传感器的电极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种量热式微流量传感器的电极及其制备方法，所述电极被配置为呈拱形结构，所述拱形结构的最低处与电极安装板之间具有200μm的间距。本发明提供一种量热式微流量传感器的电极及其制备方法，提供一种拱式电极，由于电极与基底之间具有间距，电极加热温度在基底传导的消耗较小，在加热电极产生相近温度后，通入相同的气体流速，两侧测温电极最大温度差分别为6℃和55℃，提升了49℃的温度差，使得其测量精度更好，且在不同空气温度和加热电极温度下，该结构电极能在不同流速下，在两侧测温电极距中心加热电极最佳距离时，具有明显的温度差区分度，提高了传感器的分辨率和灵敏度。

本发明授权量热式微流量传感器的电极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种量热式微流量传感器的电极制备方法，其特征在于，所述电极被配置为呈拱形结构，所述电极被配置为包括加热电极以及设置在加热电极两侧的测温电极，所述拱形结构的最低处与导电基底之间具有200μm的间距； 所述电极制备方法包括： S1、制备导电基底，导电基底的制备方式包括： S10、对基底材料进行预处理，以去除基底材料表面的油脂、尘埃和其他杂质； S11、将基底材料置入预定洁净度的真空室中，对选定的金属材料进行加热，以使金属材料在蒸发或溅射成气态的金属原子或离子能在硅片表面发生吸附和凝结，进而通过物理气相沉积在基底材料上得到金属薄膜层； S2、将基底接入负极，通过MCED电化学沉积方法在金属薄膜层上沉积金属柱； S3、在金属柱上方横向沉积梳式电极结构； 还包括通过仿真模拟对拱式电极性能进行仿真模拟，所述仿真模拟的过程包括： S4、通过建模软件分别对贴合式电极和拱式电极的结构进行建模； S5、将建模后的各电极模型分别导入COMSOL有限元仿真软件，并将各基底材料均设置为硅片，各电极材料均设置为金属电极，完成仿真模型的建立； S6、在各仿真模型上方分别设置高度为0.5mm的自由空气，在一侧分别通入不同流速的空气，将贴合式电极、拱式电极对应传感器中间加热电极分别设置相同的热功率，达到相同的加热电极的温度，对比其加热功率大小，完成模型的网格划分后的仿真分析； S7、通过仿真分析以得到在不同流速下，两侧测温电极与中心加热电极之间的最佳距离； 通过对0℃、25℃、50℃的不同空气温度和100℃、150℃的不同加热电极温度，通入0.1ms、0.4ms、0.7ms和1.0ms的空气流速下仿真，得到两侧测温电极距中心加热电极距离优选为238μm。

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