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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利一种用于光刻对准的光栅标记及其对准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119828428B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510178520.X，技术领域涉及：G03F9/00；该发明授权一种用于光刻对准的光栅标记及其对准方法是由夏豪杰;许非凡;方青林;贺洁;朱梓旭设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于光刻对准的光栅标记及其对准方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种用于光刻对准的光栅标记及其对准方法，其中，该标记包括：晶圆对准标记和掩膜对准标记。该方法包括：分别在晶圆和掩膜上刻蚀晶圆对准标记和掩膜对准标记；通过对准光源同时照射晶圆标记和掩膜标记，其衍射光干涉生成正方形莫尔条纹图；利用计算机对莫尔条纹图外轮廓进行预处理，以实现粗对准；通过2D‑FFT提取莫尔条纹的相位信息，并采用强度方程解包裹算法计算绝对相位；根据莫尔条纹的相位差计算晶圆与掩膜之间的实际错位量；将该错位量输入位移台实现反馈调整，直至实现高精度对准。本发明通过单组中心对称标记以及其对准方法即可实现光刻对准中多自由度的精对准，大幅减少晶圆有效面积的占用，显著提高光刻效率和对准精度。

本发明授权一种用于光刻对准的光栅标记及其对准方法在权利要求书中公布了：1.一种基于光栅标记的光刻对准方法，其特征在于，包括： 在晶圆中心刻蚀晶圆对准标记，在掩膜上刻蚀掩膜对准标记，晶圆对准标记和掩膜对准标记为用于光刻对准的光栅标记；光栅标记包括：用于刻蚀在晶圆上的晶圆对准标记，其按照象限分为四个象限部分，晶圆对准标记的每个象限部分均包括等间距的多条L型遮光线条，每条L型遮光线条的两边等长且分别与两条象限边界垂直，晶圆对准标记的第一象限部分和第三象限部分中L型遮光线条的间距为第一间距以及第二象限部分和第四象限部分中L型遮光线条的间距为第二间距；用于刻蚀在掩膜上的掩膜对准标记，其按照象限分为四个象限部分，晶圆对准标记的每个象限部分均包括等间距的多条L型遮光线条，每条L型遮光线条的两边等长且分别与两条象限边界垂直，掩膜对准标记的第一象限部分和第三象限部分的光栅间距为第二间距，掩膜对准标记的第二象限部分和第四象限部分的光栅间距为第一间距；其中，第一间距大于第二间距，晶圆对准标记和掩膜对准标记的每个象限部分中多条L型遮光线条的占空比为12； 将晶圆与掩膜相互叠加，使晶圆对准标记和掩膜对准标记重叠，通过对准光源同时照射晶圆对准标记和掩膜对准标记，生成正方形莫尔条纹图； 根据正方形莫尔条纹图调整晶圆与掩膜的位置来进行粗对准； 将正方形莫尔条纹图以对角线进行划分得到四个为等腰三角形的区域，四个区域分别为上区域、下区域、左区域和右区域，每个区域以自身中垂线为分割线分为两个部分； 分别提取出每个区域的两个部分的莫尔条纹相位，并分别计算出每个区域的两个部分之间的绝对相位差； 通过错位量计算公式计算晶圆与掩膜之间分别沿着X方向和Y方向的实际错位量Δx和Δy，错位量计算公式包括： 其中，P1为第一间距，P2为第二间距，Δx1和Δx2分别表示晶圆与掩膜之间的沿X方向的第一候选错位量和第二候选错位量，Δy3和Δy4分别表示晶圆与掩膜之间的沿着Y方向的第三候选错位量和第四候选错位量，和分别表示左区域、右区域、上区域和下区域的两个部分之间的绝对相位差，Δx取Δx1或Δx2，Δy取Δy3或Δy4； 将晶圆与掩膜之间的分别沿着X方向和Y方向的实际错位量Δx和Δy输入光刻机的位移台进行反馈，并由位移台对晶圆与掩膜的位置来进行精对准。

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