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龙图腾网获悉海信家电集团股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119836009B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411989867.4，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权半导体装置是由储金星;聂碧颖设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，半导体装置包括：半导体基板，半导体基板中设置有二极管区域、第一IGBT区域和第二IGBT区域；二极管区域的形状为环状且包围第一IGBT区域，第二IGBT区域包围二极管区域；第一层间介电层中贯穿设置有第一插塞和第二插塞，第一插塞的第一端电连接第一有源栅，第二插塞的第一端电连接第二有源栅；栅极配线部设置于第一层间介电层上且电连接第一插塞与第二插塞的第二端；栅极流道包括栅极配线部和栅极衬垫部；栅极焊盘电连接栅衬垫部。二极管产生的热量可向位于二极管区域内侧的第一IGBT区域、以及位于二极管区域外侧的第二IGBT区域进行均匀的扩散，提升二极管的散热均匀性，且解决如何将IGBT区域内的有源栅引出到栅极焊盘的问题。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 半导体基板，所述半导体基板在第一主面和与所述第一主面相对的第二主面之间设置有二极管区域、第一IGBT区域和第二IGBT区域；在俯视所述半导体基板时，所述二极管区域的形状为环状且包围所述第一IGBT区域，所述第二IGBT区域包围所述二极管区域；所述第一IGBT区域在所述第一主面侧设置有第一有源栅，所述第二IGBT区域在所述第一主面侧设置有第二有源栅； 第一层间介电层，设置于所述第一主面上，所述第一层间介电层中贯穿设置有第一插塞和第二插塞，所述第一插塞的第一端电连接所述第一有源栅，所述第二插塞的第一端电连接所述第二有源栅； 栅极流道，包括设置于所述第一层间介电层上的栅极配线部和栅极衬垫部，所述栅极配线部电连接所述第一插塞与所述第二插塞的第二端，所述栅极衬垫部电连接所述栅极配线部； 第二层间介电层，覆盖于所述栅极流道上，所述第二层间介电层中贯穿设置有第四插塞，所述第四插塞的第一端电连接所述栅极衬垫部；以及，栅极焊盘，设置于所述第二层间介电层上，所述栅极焊盘电连接所述第四插塞的第二端。

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