山东大学王善朋获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利准一维(TaSe4)2I和MoTe2混维异质结光电晶体管探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119836020B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510037859.8，技术领域涉及：H10F30/28；该发明授权准一维(TaSe4)2I和MoTe2混维异质结光电晶体管探测器及制备方法是由王善朋;魏立美;陶绪堂设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本准一维(TaSe4)2I和MoTe2混维异质结光电晶体管探测器及制备方法在说明书摘要公布了：一种准一维TaSe42I和二维MoTe2混维异质结光电晶体管探测器及其制备方法，该探测器自下至上依次包括Si衬底、SiO2栅介质层、准一维TaSe42I和二维MoTe2纳米薄膜，准一维TaSe42I和MoTe2纳米薄膜上分别设置有金属电极，形成TaSe42I、MoTe2和金属电极的异质结构。其制备方法包括以下步骤：1将TaSe42I纳米线转移到Si衬底上；2将MoTe2纳米薄膜转移至TaSe42I纳米线一侧；3制备底电极的图形；4对底电极的图形进行定位曝光显影,暴露出需要蒸镀电极部分；5制备金属电极。本发明利用TaSe42IMoTe2异质结的复合效应，通过垂直结构抑制暗电流；利用MoTe2增加光吸收，同时施加栅压，提高光电流，获得高的响应度和外量子效率。
本发明授权准一维(TaSe4)2I和MoTe2混维异质结光电晶体管探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种准一维TaSe42I和二维MoTe2混维异质结光电晶体管探测器的制备方法，其特征是，所述准一维TaSe42I和二维MoTe2混维异质结光电晶体管探测器，自下至上依次包括Si衬底、SiO2栅介质层、准一维TaSe42I和二维MoTe2纳米薄膜，准一维TaSe42I和MoTe2纳米薄膜上分别设置有金属电极，形成TaSe42I、MoTe2和金属电极的异质结构； 上述准一维TaSe42I和二维MoTe2混维异质结光电晶体管探测器的制备方法，包括以下步骤： 1将TaSe42I纳米线转移到Si衬底上； 2将MoTe2纳米薄膜定点转移至已置于Si衬底上的TaSe42I纳米线一侧； 3将Si衬底表面均匀旋涂光刻胶，制备底电极的图形； 4对底电极的图形进行定位曝光，然后进行显影,暴露出需要蒸镀电极部分； 5制备金属电极。
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