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龙图腾网获悉重庆大学;国网冀北电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司申请的专利计及寄生电容电热特性的IGBT器件场路联合仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119862837B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411769007.X，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权计及寄生电容电热特性的IGBT器件场路联合仿真方法是由李辉;陈昕睿;姚然;赖伟;向学位;段泽宇;季一润;袁文迁;槐青;袁茜设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本计及寄生电容电热特性的IGBT器件场路联合仿真方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种计及寄生电容电热特性的IGBT器件场路联合仿真方法，属于功率半导体器件仿真建模技术领域，包括以下步骤：S1：在Simulink中构建IGBT电路模型；S2：在COMSOL中构建IGBT电热耦合多物理场模型；S3：定义各部分的材料属性，定义IGBT芯片寄生电容的电压和温度敏感特性；考虑温度变化和电压变化对极间电容的影响，定义基于静电学的电容计算公式；S4：设置多物理场和边界条件，选择电场、热场耦合模块，设置电场强度、温度初始边界条件；S5：对Simulink模型和COMSOL模型进行场路联合；S6：进行Simulink‑COMSOL联合仿真，通过仿真模型获得IGBT动静态特性。

本发明授权计及寄生电容电热特性的IGBT器件场路联合仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种计及寄生电容电热特性的IGBT器件场路联合仿真方法，其特征在于：包括以下步骤： S1：根据应用工况在Simulink中构建IGBT电路模型； S2：在COMSOL中构建IGBT电热耦合多物理场模型； S3：定义各部分的材料属性，定义IGBT芯片寄生电容的电压和温度敏感特性；考虑温度变化和电压变化对极间电容的影响，定义基于静电学的电容计算公式；步骤S3中定义寄生电容计算公式如下： 其中CGC为栅极‑集电极电容，是参考温度T0下的介电常数，是介电常数的温度系数，VCE是集电极‑发射极电压，VG是栅极电压，q是电子电荷，ND是施主浓度，kB是玻尔兹曼常数，T是绝对温度，NA是受主浓度，ni是本征载流子浓度，随温度变化表示为： 其中，ni0是参考温度下的本征载流子浓度，Eg是带隙能量； CGE为栅极‑发射极电容，是在参考温度T0下的绝缘层介电常数，是介电常数的温度系数，dox0是在栅极‑发射极电压VGE=0时的绝缘层厚度，Vox是绝缘层的电场强度参数； CCE为集电极‑发射极电容，是在参考温度 T0下的介电常数，是介电常数的温度系数，ACE是集电极‑发射极之间的有效面积，dCE是集电极‑发射极之间的间距； S4：设置多物理场和边界条件，选择电场、热场耦合模块，设置电场强度、温度初始边界条件； S5：在Simulink电路模型和COMSOL多物理场模型之间构建数据接口，实现场路联合； S6：分别设置Simulink模型和COMSOL模型的仿真步长和数据交换步长，运行Simulink‑COMSOL联合仿真，直至仿真达到收敛，通过仿真模型获得IGBT动静态特性，完成对IGBT模块的仿真模拟。

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