长鑫科技集团股份有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法、存储阵列结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866010B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311373206.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法、存储阵列结构是由唐怡设计研发完成，并于2023-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、存储阵列结构在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制备方法、存储阵列结构，半导体结构包括：基底，位于基底上的第一晶体管以及第二晶体管，第一晶体管包括第一半导体层、第一栅极、读位线以及读字线，第一半导体层包括沿第一方向相对的第一端以及第二端，读位线与第一端电接触，读字线与第二端电接触；第二晶体管包括第二半导体层、第二栅极、写位线以及写字线，第二半导体层包括沿第二方向相对的第三端以及第四端，第一栅极与第三端电接触，写位线与第四端电接触；第一方向与第二方向相交；其中，读位线、读字线以及写位线三者中的至少两者在基底的正投影重叠。
本发明授权半导体结构及其制备方法、存储阵列结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 位于所述基底上的第一晶体管，所述第一晶体管包括第一半导体层、第一栅极、读位线以及读字线，所述第一半导体层包括沿第一方向相对的第一端以及第二端，所述读位线与所述第一端电接触，所述读字线与所述第二端电接触； 第二晶体管，所述第二晶体管位于所述第一半导体层沿第二方向的一侧；所述第二晶体管包括第二半导体层、第二栅极、写位线以及写字线，所述第二栅极位于所述第二半导体层沿所述第一方向的一侧，所述写字线与所述第二栅极沿第三方向的一侧电接触；所述第二半导体层包括沿第二方向相对的第三端以及第四端，所述第一栅极与所述第三端电接触，所述写位线与所述第四端电接触；所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向两两相交； 其中，所述读位线、读字线以及所述写位线三者中的至少两者在所述基底的正投影重叠。
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