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龙图腾网获悉武创芯研科技(武汉)有限公司申请的专利球形基底金刚石薄膜悬浮生长装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119876897B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510361817.X，技术领域涉及：C23C16/27；该发明授权球形基底金刚石薄膜悬浮生长装置是由张适;赵博;李丽丹设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本球形基底金刚石薄膜悬浮生长装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种球形基底金刚石薄膜悬浮生长装置，包括用于提供反应环境的腔体和用于承载球形基底的沉积基座；所述腔体开设有有进气口与出气口，所述进气口供反应气体进入，所述出气口供所述腔体内废气排出，所述进气口与所述出气口连通；所述沉积基座设置在所述腔体内且与所述气流通道适配，所述沉积基座上设有气流悬浮组件和或电磁悬浮组件，所述气流悬浮组件和或所述电磁悬浮组件将所述球形基底悬浮在所述沉积基座上方并将所述球形基底置入反应环境内。

本发明授权球形基底金刚石薄膜悬浮生长装置在权利要求书中公布了：1.一种球形基底金刚石薄膜悬浮生长装置，其特征在于，用于微型化、曲面基底上的金刚石薄膜生长，包括用于提供反应环境的腔体和用于承载球形基底的沉积基座； 所述腔体开设有进气口与出气口，所述进气口供反应气体进入，所述出气口供所述腔体内废气排出，所述进气口与所述出气口连通； 所述沉积基座设置在所述腔体内且与气流通道适配，所述沉积基座上设有气流悬浮组件气流悬浮组件和电磁悬浮组件，所述气流悬浮组件气流悬浮组件和电磁悬浮组件将所述球形基底悬浮在所述沉积基座上方并将所述球形基底置入反应环境内； 所述气流悬浮组件设有多个气流喷口，所述多个气流喷口向所述沉积基座与所述球形基底之间喷出气体形成气流支撑层，将所述球形基底悬浮在所述沉积基座上方并将所述球形基底置入反应环境内； 所述沉积基座包括内基座，所述内基座呈内凹球面状，其球心位置与球形基底相适配； 所述沉积基座下方设有基台和与所述基台连接的供气管道，所述腔体下部设有导管，所述供气管道穿设到所述导管内，所述供气管道外壁与所述导管内壁之间的空间构成波导通道，所述波导通道用于将微波源发出的微波能量传输到所述腔体内； 所述气流悬浮组件还包括设置在所述供气管道内的进气通道和设置在所述基台内的气流调节机构，所述进气通道通过所述气流调节机构与所述多个气流喷口连通，所述多个气流喷口按照十字线排列，将沉积基座空间划分出四个扇形区域，每个扇形区域的气流喷口数量逐渐增多，所述内基座至少设有30个气流喷口，所述气流喷口以所述内基座中心为圆心规律分布，所述气流喷口的直径为3～5 mm，喷口间距为2～3 mm，所述气流调节机构控制所述多个气流喷口喷出气流将所述球形基底悬浮，且控制最外侧1‑3层气流喷口喷射流速差以为所述球形基底悬浮自旋提供动力； 所述沉积基座上还设有温度传感器，温度传感器设置在气流喷口中心位置，所述温度传感器用于探测所述球形基底的温度； 所述沉积基座下方设有温度控制组件，所述温度控制组件套设在所述基台外侧并与温度传感器连接，所述温度控制组件用于调节所述气流喷口喷出气流的温度进而调节所述反应环境温度。

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