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龙图腾网获悉国网江苏省电力有限公司无锡供电分公司;西安交通大学申请的专利一种硅橡胶表面污秽湿润度光谱图像分析方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119936047B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411966229.0，技术领域涉及：G01N21/94；该发明授权一种硅橡胶表面污秽湿润度光谱图像分析方法及系统是由缪金;蒋煊;陈静静;吴俊锋;陈文;任明设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅橡胶表面污秽湿润度光谱图像分析方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅橡胶表面污秽湿润度光谱图像分析方法及系统，属于高压输变电设备状态监测技术领域，该方法包括：制备硫化硅橡胶样片的干燥污秽样品和饱和湿润污秽样品；通过近红外反射光谱成像仪获取硫化硅橡胶样片干燥污秽样品和硫化硅橡胶样片饱和湿润污秽样品的反射光谱数据；使用校准白板和标准黑板对反射光谱成像仪的像素灰度值进行归一化，确定反射率计算公式；分别计算干燥污秽样品区域和饱和湿润污秽样品区域的反射率平均值随波长的曲线；构建污秽湿润度评估模型，该模型包括污秽湿润度评估模型参量和湿润度估计系数，通过污秽湿润度评估模型计算硫化硅橡胶样片表面的污秽湿润度，并对其进行可视化呈现。

本发明授权一种硅橡胶表面污秽湿润度光谱图像分析方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种硅橡胶表面污秽湿润度光谱图像分析方法，其特征在于，包括如下步骤： 制备硫化硅橡胶样片的干燥污秽样品和饱和湿润污秽样品； 通过近红外反射光谱成像仪在900nm～1700nm波段获取硫化硅橡胶样片干燥污秽样品和硫化硅橡胶样片饱和湿润污秽样品的反射光谱数据； 使用校准白板和标准黑板对反射光谱成像仪的像素灰度值进行归一化，确定反射率计算公式； 分别计算干燥污秽样品区域和饱和湿润污秽样品区域的反射率平均值随波长的曲线，计算干燥污秽样品区域的反射率平均值随波长λ的曲线记为R0λ；计算饱和湿润污秽样品区域的反射率平均值随波长λ的曲线记为R1λ； 所述计算填补率k1包括： k1＝Rpλ1Rmax式中，Rmax为R1λ和R0λ差值绝对值的最大值，λ1为R1λ和R0λ差值绝对值的最大值所对应的波长； 计算差异率k2包括： k2＝Rpλ1‑Rpλ2式中，λ2为R1λ和R0λ差值绝对值的最小值所对应的波长； 计算变化率k3包括： 式中，λ3为R1λ和R0λ差值绝对值在dλ步长变化率的最大值rmax所对应的中心波长； 计算变化差异率k4包括： 式中，λ4为R1λ和R0λ差值绝对值在dλ步长变化率的最小值所对应的中心波长； Rpλ为当前测试结果在各像素点上的反射率； 构建污秽湿润度评估模型，该模型包括污秽湿润度评估模型参量和湿润度估计系数，基于干燥污秽样品区域和饱和湿润污秽样品区域的反射率平均值随波长的曲线，设置并计算污秽湿润度评估模型参量，包括填补率、差异率、变化率和变化差异率，并计算污秽湿润度评估模型参量对应的湿润度估计系数； 基于污秽湿润度评估模型参量和湿润度估计系数，通过污秽湿润度评估模型计算硫化硅橡胶样片表面的污秽湿润度，并对其进行可视化呈现，所述计算污秽湿润度评估模型参量对应的湿润度估计系数包括： 设置初始湿润度系数α0t： 其中，Yi是实测得到的污秽湿润度向量的第i个元素，Xi是污秽湿润度评估模型参量矩阵的第i行，α是湿润度估计系数向量，n是样本数量； 计算t时刻第m次迭代的模型偏离值δmt，计算公式为： δmt＝Y‑Xαmt其中，Y是实测得到的污秽湿润度向量，X是污秽湿润度评估模型参量矩阵，αmt是在t时刻第m次迭代的湿润度估计系数； 定义偏离度σ为描述模型输出偏差程度的指标： σ＝1.4826EA其中，EA为平均偏离值绝对值，是所有模型偏离值中位数的绝对值； 定义标准化偏离度为t时刻第m次迭代的模型偏离值δmt与偏离度σ的比值： 计算t时刻第m次迭代的指标权重ρmt，使用指标权重ρmt进行加权回归，更新修正湿润度估计系数αmt： αm+1t＝XTρ*X‑1XTρ*Y其中，ρ*是对角矩阵，其对角线上的元素为指标权重ρmt； 重复上述步骤，直到修正湿润度估计系数的变化小于预设的迭代收敛偏差阈值s： |αm+1t‑αmt|s此时的αmt为最终的湿润度估计系数向量。

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