华中科技大学段国韬获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于n型羟基还原氧化石墨烯的高选择性DMMP室温传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119936133B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510145587.3，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种基于n型羟基还原氧化石墨烯的高选择性DMMP室温传感器及其制备方法是由段国韬;吕国梁设计研发完成，并于2025-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于n型羟基还原氧化石墨烯的高选择性DMMP室温传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于气敏传感器领域，公开了一种基于n型羟基还原氧化石墨烯的高选择性DMMP室温传感器及其制备方法。该传感器自下而上包括：绝缘衬底、叉指电极、基于n型羟基还原氧化石墨烯的气敏薄膜；该气敏薄膜为：通过将氧化石墨烯表面的含氧基团转变为羟基制得，或通过将氧化石墨烯表面的含氧基团转变为羟基后再进行杯[6]芳烃修饰制得。该传感器将n型羟基还原氧化石墨烯作为气敏薄膜，利用分子嗅觉传感机制使其具备材料―气体靶向性，由此在DMMP检测方面实现室温、超高选择性、快响应速率、宽检测范围的检测；尤其将HRGO@Calix[6]arene作为气敏薄膜，能够同时提高传感器的稳定性和低浓度检测分辨率的抗湿性。
本发明授权一种基于n型羟基还原氧化石墨烯的高选择性DMMP室温传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于n型羟基还原氧化石墨烯的高选择性DMMP室温传感器，其特征在于，自下而上包括：绝缘衬底、叉指电极、基于n型羟基还原氧化石墨烯的气敏薄膜；其中，所述基于n型羟基还原氧化石墨烯的气敏薄膜通过以下制备方法得到：通过将氧化石墨烯表面的含氧基团转变为羟基基团制得，或通过将所述氧化石墨烯表面的含氧基团转变为羟基基团后再进行杯[6]芳烃修饰制得。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励