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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种基于多神经形态行为的神经元电路及类脑计算系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120409582B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510912915.8，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权一种基于多神经形态行为的神经元电路及类脑计算系统是由逯鑫淼;宋震龙;张钰设计研发完成，并于2025-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于多神经形态行为的神经元电路及类脑计算系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于多神经形态行为的神经元电路及类脑计算系统，该神经元电路将欣德马什–罗斯模型通过电容动态响应机制与金属‑氧化物半导体场效应晶体管的跨区间非线性特性映射到物理电路领域，然后将该扩展的欣德马什–罗斯模型通过金属‑氧化物半导体场效应晶体管设计实现；该神经元电路包括膜电压电路、慢变量电路和恢复变量电路；膜电压电路用于接收输入信号并积累膜电压；慢变量电路用于根据膜电压积累慢变量，并在慢变量大于预设阈值后使神经元电路进入超极化阶段；恢复变量电路用于根据膜电压延迟输出恢复变量，并通过恢复变量使膜电压复位至静息电位。

本发明授权一种基于多神经形态行为的神经元电路及类脑计算系统在权利要求书中公布了：1.一种基于多神经形态行为的神经元电路，包括膜电压电路1、慢变量电路2和恢复变量电路4；所述的膜电压电路1用于接收输入信号3并积累膜电压；所述的慢变量电路2用于根据膜电压积累慢变量，并在慢变量大于预设阈值后使神经元电路进入超极化阶段；恢复变量电路4用于根据膜电压延迟输出恢复变量，并通过恢复变量使膜电压复位至静息电位； 其特征在于：所述的膜电压电路包括膜电容器Cm和正反馈电路；所述的正反馈电路包括三个场效应管M1、M2和M3；场效应管M1的栅极连接场效应管M2的栅极、场效应管M1的漏极、场效应管M3的漏极；膜电容器Cm的一端与场效应管M2的漏极、场效应管M3的栅极、输入信号连接；膜电容器Cm的另一端接地；场效应管M1和M2的源极连接电源电压；场效应管M3的源极接地； 所述的慢变量电路包括积分电容器Cu、泄露电阻 R以及两个场效应管M4、M5；场效应管M5的栅极与场效应管M1的栅极连接；场效应管M5的漏极与场效应管M4的栅极、积分电容器Cu的一端、泄露电阻 R的一端连接；场效应管M4的源极、积分电容器Cu的另一端、泄露电阻 R的另一端均接地；场效应管M4的漏极与输入信号连接；场效应管M5的源极连接电源电压； 所述的恢复变量电路包括电容器Ck和级联推挽反馈电路；级联推挽反馈电路包括五个场效应管M6、M7、M8、M9和M10；场效应管M6的漏极与场效应管M3、场效应管M7、场效应管M8的栅极连接；场效应管M6的栅极与场效应管M9的漏极、场效应管M10的漏极、电容器Ck的一端连接；电容器Ck的另一端接地；场效应管M7、M8的漏极均与场效应管M9、M10的栅极连接；场效应管M6、M8、M10的源极均接地；场效应管M7、M9的源极均连接电源电压。

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