买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利氧化镓硅基集成日盲紫外图像传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568879B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511064040.7，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权氧化镓硅基集成日盲紫外图像传感器及其制备方法是由朱梦剑;王煊;李晗升;朱志宏;闫静静设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本氧化镓硅基集成日盲紫外图像传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电探测器技术领域，公开了一种氧化镓硅基集成日盲紫外图像传感器及其制备方法。氧化镓硅基集成日盲紫外图像传感器的制备方法，包括以下步骤：S100、制备硅基底电极；S200、在硅基底电极的像素区的电极上磁控溅射沉积氧化镓薄膜，以实现低温、无衬底选择性地生长氧化镓薄膜，得到器件；S300、器件进行真空退火处理，以提升器件光电探测性能；S400、在器件上电子束蒸发镀制薄层电极；S500、在器件上旋涂紫外光刻胶，利用无掩膜光刻和电子束蒸发镀膜技术，制备跨像素对齐的导电栅线；S600、利用去胶液剥离多余金属部分，暴露出透明顶电极，制得氧化镓硅基集成日盲紫外图像传感器。

本发明授权氧化镓硅基集成日盲紫外图像传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓硅基集成日盲紫外图像传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S100、制备硅基底电极； 步骤S100制备硅基底电极，具体包括：S101、对TFT电流采集芯片进行超声清洗并烘干； S102、在TFT电流采集芯片上旋涂紫外光刻胶，通过无掩膜紫外光刻技术和电子束蒸发镀膜技术，形成的Au底电极与TFT电流收集端实现了精准的像素级对准，实现像素级对准的Au底电极的制备；S103、利用去胶液剥离多余金属部分，实现底电极的物理隔离；TFT电流采集芯片包括电流采集区和像素区； S200、在硅基底电极的像素区的电极上磁控溅射沉积氧化镓薄膜，以实现低温、无衬底选择性地生长氧化镓薄膜，得到器件； 磁控溅射的低温特性为低于300℃； S300、器件进行真空退火处理，以提升器件光电探测性能； S400、在器件上电子束蒸发镀制薄层电极； S500、在器件上旋涂紫外光刻胶，利用无掩膜光刻和电子束蒸发镀膜技术，制备跨像素对齐的导电栅线； 导电栅线的制备采用双层光刻胶结构和无掩膜光刻技术，实现了至少50nm厚Au栅线的高精度图形化；双层光刻胶设计创造了理想的侧壁倾角，使剥离工艺的成功率提升；无掩膜直写曝光技术实现了亚微米级对准精度，确保栅线与底部电极实现跨像素精准对准，这种三维互连结构使像素间的导通电阻降低； S600、利用去胶液剥离多余金属部分，暴露出透明顶电极，制得氧化镓硅基集成日盲紫外图像传感器。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国人民解放军国防科技大学，其通讯地址为：410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。