杭州广立微电子股份有限公司郑苗苗获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州广立微电子股份有限公司申请的专利一种用于监控注入阴影效应的测试结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223414082U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422629751.1，技术领域涉及：H01L23/544；该实用新型一种用于监控注入阴影效应的测试结构是由郑苗苗;苌文龙设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于监控注入阴影效应的测试结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种用于监控注入阴影效应的测试结构，所述测试结构包括衬底、有源区、金属互连结构和多晶硅结构；所述有源区设置在所述衬底上，所述多晶硅结构横跨至少一个所述有源区并覆盖所述有源区的部分表面；在至少一个所述有源区上设置金属互连结构，用于将目标有源区接出；其中，所述目标有源区包括在至少一个所述有源区中，基于所述多晶硅结构和或所述有源区的边界，确定的至少一个有源区区域。其结构简单，易于制造，是一种适用于监控IO制程中注入阴影效应的测试结构，能够有效判定注入阴影效应对器件工作特性的影响程度，利于提高器件性能水平与产品良率。
本实用新型一种用于监控注入阴影效应的测试结构在权利要求书中公布了：1.一种用于监控注入阴影效应的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括衬底、有源区、金属互连结构和多晶硅结构； 所述有源区设置在所述衬底上，所述多晶硅结构横跨至少一个所述有源区并覆盖所述有源区的部分表面； 在至少一个所述有源区上设置金属互连结构，用于将目标有源区接出； 其中，所述目标有源区包括在至少一个所述有源区中，基于所述多晶硅结构和或所述有源区的边界，确定的至少一个包括离子注入区域的有源区区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州广立微电子股份有限公司，其通讯地址为：310012 浙江省杭州市西湖区西斗门路3号天堂软件园A幢15楼F1座；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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